[发明专利]太阳能电池的制备方法、制备装置及太阳能电池

说明书

本申请提供一种太阳能电池的制备方法、制备装置及太阳能电池。该制备方法包括：提供轻掺杂的硅片，轻掺杂的硅片包括多个待激光重掺杂的第一预设区域；获取轻掺杂的硅片的方阻值分布；根据方阻值分布确定多个第一预设区域的激光重掺杂功率；根据激光重掺杂功率对多个第一预设区域进行激光重掺杂，以使激光后的任意两个第一预设区域的方阻值的差满足预设范围。上述太阳能电池的制备方法，可为多个待重掺杂的区域分别匹配合适的激光重掺杂功率，从而有利于保障重掺杂区域的方阻一致性，更好地提高太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池的制备方法、制备装置及太阳能电池。

背景技术

选择性发射极(Selective Emitter)太阳能电池，即在金属栅线电极与硅片接触部位进行重掺杂，电极之间的位置进行轻掺杂，这种结构可降低扩散层的复合，减少受光面金属电极与硅片的接触电阻，改善电池的短路电流、开路电压和填充因子，从而提高光电转化效率。工业上常采用激光掺杂制备SE结构，即在磷扩散以后利用激光照射硅表面，使硅衬底变成熔融状态，掺杂原子可以迅速进入熔融硅中，当激光光束消失后，熔融的硅冷却结晶，掺杂原子就进入硅晶体中，形成重掺杂区。

选择性发射极的制造过程中，在激光重掺杂之前首先要进行轻掺杂，轻掺杂使用管式扩散的方法，气体从硅片四周进入，这样容易导致硅片中间方块电阻大，边缘方块电阻小。采用激光进行重掺杂后，重掺杂区域的方阻会产生一定的降落。如果使用相同功率的激光对轻掺杂的硅片进行重掺杂，容易使得硅片上各激光重掺杂后的区域方阻不均，且可能导致原本方阻大的区域降的方阻不够，印刷后栅线与硅片无法形成良好的欧姆接触，而原本方阻就低的地方降的方阻过大，印刷烧结后易产生漏电。

发明内容

基于此，有必要针对传统的选择性发射极的制造过程中激光重掺杂后的区域方阻不均的问题，提供一种改进的太阳能电池制备方法。

一种太阳能电池的制备方法，包括：

提供轻掺杂的硅片，所述轻掺杂的硅片包括多个待激光重掺杂的第一预设区域；

获取所述轻掺杂的硅片的方阻值分布；

根据所述方阻值分布确定所述多个第一预设区域的激光重掺杂功率；

根据所述激光重掺杂功率对所述多个第一预设区域进行激光重掺杂，以使激光后的任意两个所述第一预设区域的方阻值的差满足预设范围。

上述太阳能电池的制备方法，通过轻掺杂的硅片的方阻值分布确定多个第一预设区域的激光重掺杂功率，可为多个第一预设区域分别匹配合适的激光重掺杂功率进行重掺杂，从而有利于保障多个第一预设区域重掺杂后的方阻一致性，更好地提高太阳能电池的光电转换效率。

在其中一个实施例中，所述激光后的任意两个所述第一预设区域的方阻值的差为X，其中，-5Ω≤X≤5Ω。

在其中一个实施例中，所述获取所述轻掺杂的硅片的方阻值分布，包括：通过方阻测试仪测量所述轻掺杂的硅片上的多个第二预设区域的方阻值；根据所述多个第二预设区域的方阻值，通过插值的方式确定所述多个第二预设区域以外的其他区域的方阻值。

在其中一个实施例中，所述根据所述方阻值分布确定所述多个第一预设区域的激光重掺杂功率，包括：根据所述方阻值分布中各子区域的方阻值确定各子区域对应的激光重掺杂功率；根据所述各子区域对应的激光重掺杂功率，获取所述多个第一预设区域的激光重掺杂功率。

在其中一个实施例中，所述根据所述各子区域对应的激光重掺杂功率，获取所述多个第一预设区域的激光重掺杂功率，包括：建立坐标系以获取所述方阻值分布中各子区域的位置坐标；建立不同子区域的位置坐标与激光重掺杂功率的对应关系；提供所述多个第一预设区域的矢量图；根据所述矢量图和所述对应关系，确定所述多个第一预设区域的激光重掺杂功率。