[发明专利]堆叠的集成电路装置

说明书

公开了一种堆叠的集成电路装置。所述堆叠的集成电路装置可以包括标准单元，标准单元包括第一行中的第一标准单元和与第一行紧邻的第二行中的第二标准单元。每个标准单元可以包括上晶体管和下晶体管。上晶体管可以包括上有源区、上栅极结构以及上源/漏区。下晶体管可以包括下有源区、下栅极结构以及下源/漏区。每个标准单元还可以包括电源线和将电源线电连接到下源/漏区的电源过孔。第一标准单元的电源过孔和第二标准单元的电源过孔可以沿着第一方向彼此对齐。

本申请要求在USPTO于2020年6月4日提交的题目为“STACKED DEVICES(堆叠装置)”、序列号为63/034,525的美国临时申请以及于2020年7月24日提交的题目为“STACKEDINTEGRATED CIRCUIT DEVICES(堆叠的集成电路装置)”、序列号为16/947,241的美国非临时申请的优先权，这些申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开总体上涉及电子领域，更具体地，涉及堆叠的(或称为“堆叠式”)集成电路装置。

背景技术

包括标准单元的堆叠式集成装置由于它们的高集成密度而已经被研究。然而，堆叠式集成装置会包括与单元边界相邻的额外空间以用于相邻标准单元的元件之间的电隔离，从而使装置尺寸增大。

发明内容

根据本发明构思的一些实施例，集成电路装置可以包括以多个均在第一方向上延伸的行布置在基底上的多个标准单元。所述多个标准单元可以包括第一行中的第一标准单元和与第一行紧邻的第二行中的第二标准单元。所述多个标准单元中的每个可以包括上晶体管以及位于基底与上晶体管之间的下晶体管。上晶体管可以包括上有源区、位于上有源区上的上栅极结构以及位于上有源区上的上源/漏区。下晶体管可以包括下有源区、位于下有源区上的下栅极结构以及位于下有源区上的下源/漏区。所述多个标准单元中的每个还可以包括电源线以及将电源线电连接到下源/漏区的电源过孔。第一标准单元的电源过孔和第二标准单元的电源过孔可以沿着第一方向彼此对齐。

根据本发明构思的一些实施例，集成电路装置可以包括以多个均在第一方向上延伸的行布置在基底上的多个标准单元。所述多个标准单元可以包括第一行中的第一标准单元和与第一行紧邻的第二行中的第二标准单元。集成电路装置还可以包括沿着第一行与第二行之间的界面延伸的共用电源线。所述多个标准单元中的每个可以包括上晶体管以及位于基底与上晶体管之间的下晶体管。上晶体管可以包括上有源区、位于上有源区上的上栅极结构以及位于上有源区上的第一上源/漏区和第二上源/漏区。下晶体管可以包括下有源区、位于下有源区上的下栅极结构以及位于下有源区上的第一下源/漏区和第二下源/漏区。所述多个标准单元中的每个还可以包括将所述共用电源线电连接到第一下源/漏区的电源过孔以及将第二下源/漏区和第二上源/漏区电连接的输出过孔。第一标准单元的电源过孔可以在第一方向上与第一标准单元的输出过孔间隔开第一距离，第二标准单元的电源过孔可以在垂直于第一方向的第二方向上与第二标准单元的输出过孔间隔开第二距离，并且第一距离可以与第二距离不同。

根据本发明构思的一些实施例，集成电路装置可以包括布置在第一方向上的多个第一标准单元以及布置在第一方向上并且接触所述多个第一标准单元的多个第二标准单元。所述多个第一标准单元与所述多个第二标准单元之间的界面可以限定单元边界。所述多个第一标准单元和所述多个第二标准单元均可以包括位于基底上的上晶体管以及位于基底与上晶体管之间的下晶体管。上晶体管可以包括上有源区、位于上有源区上的上栅极结构以及位于上有源区上的上源/漏区。下晶体管可以包括下有源区、位于下有源区上的下栅极结构以及位于下有源区上的下源/漏区。所述多个第一标准单元和所述多个第二标准单元还可以包括将下源/漏区和上源/漏区电连接的输出过孔。所述多个第一标准单元可以包括第一标准单元，并且第一标准单元的输出过孔与所述单元边界叠置。

附图说明

图1是根据本发明构思的一些实施例的反相器的电路图。

图2A和图2B是根据本发明构思的一些实施例的图1的反相器的透视图。