[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括驱动薄膜晶体管与感光薄膜晶体管：

所述驱动薄膜晶体管包括第一有源岛，第一栅极以及第一源漏极；

所述感光薄膜晶体管包括第二有源岛，第二栅极以及第二源漏极；

其中，所述第一栅极与所述第二栅极同层设置，及/或所述第一源漏极与所述第二源漏极同层设置。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源岛的材料包括非晶硅。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源岛包括非晶硅岛，以及设置在所述非晶硅岛上两端的第一N型非晶硅部与第二N型非晶硅部。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

第一有源岛，设置于所述基板上；

第一绝缘层，设置于所述第一有源岛上；

第一金属层，设置于所述第一绝缘层上，包括所述第一栅极与所述第二栅极；

第二绝缘层，设置于所述第一金属层上；

第二有源岛，设置于所述第二绝缘层上；

第二金属层，设置于所述第二绝缘层与所述第二有源岛上，包括所述第一源漏极与所述第二源漏极，所述第一源漏极通过贯穿于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的第一接触孔连接于第一有源岛，所述第二源漏极连接于所述第二有源岛中的所述第一N型非晶硅部与第二N型非晶硅部。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

基板；

第一有源岛，设置于所述基板上；

第一绝缘层，设置于所述第一有源岛上；

第一金属层，设置于所述第一绝缘层上，包括所述第一栅极；

第二绝缘层，设置于所述第一金属层上；

第三金属层，设置于所述第二绝缘层上，包括所述第二栅极；

第三绝缘层，设置于所述第三金属层上；

第二有源岛，设置于所述第三绝缘层上；

第二金属层，设置于所述第三绝缘层与所述第二有源岛上，包括所述第一源漏极与所述第二源漏极，所述第一源漏极通过贯穿于所述第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层的第二接触孔连接于第一有源岛，所述第二源漏极连接于所述第二有源岛中的所述第一N型非晶硅部与第二N型非晶硅部。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区与非显示区，所述驱动薄膜晶体管设置于所述显示区，所述感光薄膜晶体管设置于所述非显示区。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

S110：提供一基板，在所述基板上第一有源岛；

S120：在所述第一有源岛上形成第一绝缘层；

S130：在所述第一绝缘层上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一栅极与第二栅极；

S140：在所述第一金属层上形成第二绝缘层；

S150：在所述第二绝缘层上形成第二有源岛；

S160：形成贯穿所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的第一接触孔，所述第一接触孔对应所述第一有源岛设置；

S170：在所述第二绝缘层与所述第二有源岛上形成第二金属层，所述第二金属层包括第一源漏极与第二源漏极，所述第一源漏极通过所述第一接触孔连接于第一有源岛，所述第二源漏极连接于所述第二有源岛。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S50具体包括：

S151：在所述第二绝缘层上形成层叠的非晶硅薄膜与N型非晶硅薄膜；

S152：对所述非晶硅薄膜与N型非晶硅薄膜进行图案化工艺，以形成所述第二有源岛，所述第二有源岛包括非晶硅岛，以及间隔设置在所述非晶硅岛上两端的第一N型非晶硅部与第二N型非晶硅部。