[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审
申请号: | 202110240478.1 | 申请日: | 2021-03-04 |
公开(公告)号: | CN113036057A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 倪柳松 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/56;H01L21/84 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;王存霞 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基底;
遮光层,位于所述基底一侧;
第一沉积层,位于所述遮光层远离所述基底的一侧;
阳极连接结构,位于所述第一沉积层远离所述基底的一侧;
辅助阴极,位于所述第一沉积层远离所述基底的一侧,所述辅助阴极在所述基底上的正投影与所述阳极连接结构在所述基底上的正投影错开设置,且所述辅助阴极在所述基底上的正投影位于所述遮光层在所述基底上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一沉积层包括缓冲层、有源层和层间绝缘层,所述缓冲层覆盖所述遮光层,所述有源层位于所述缓冲层远离所述基底的一侧,所述层间绝缘层位于所述有源层远离所述基底的一侧;
所述阳极连接结构和所述辅助阴极位于所述层间绝缘层远离所述基底的一侧,且所述阳极连接结构在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内;
所述辅助阴极在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述遮光层包括相互绝缘的第一遮光结构和第二遮光结构;
所述第一遮光结构的位置与所述阳极连接结构的位置对应;
所述第二遮光结构的位置与所述辅助阴极的位置对应,且所述辅助阴极在所述基底上的正投影与所述第二遮光结构在所述基底上的正投影重叠。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括相互绝缘的第一有源结构和第二有源结构;
所述阳极连接结构通过阳极搭接孔与阳极连接,所述第一有源结构的位置与所述阳极搭接孔的位置对应;
所述第二有源结构的位置与所述辅助阴极的位置对应,且所述辅助阴极在所述基底上的正投影与所述第二有源结构在所述基底上的正投影重叠。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一沉积层还包括栅极绝缘层和栅极,所述有源层还包括第三有源结构;
所述第三有源结构包括源极接触区和漏极接触区,且与所述第一有源结构和所述第二有源结构均绝缘设置;
所述栅极绝缘层位于所述第三有源结构远离所述基底的一侧;
所述栅极位于所述栅极绝缘层远离所述基底的一侧。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括源极、漏极以及第二沉积层;
所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层远离所述基底的一侧,所述源极与所述第三有源结构在所述源极接触区位置处连接,所述漏极与所述第三有源结构在所述漏极接触区位置处连接;
所述阳极连接结构与所述源极连接,且所述阳极连接结构与所述遮光层连接;
所述第二沉积层包括钝化层和平坦化层,所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极、所述阳极连接结构以及所述辅助阴极;所述平坦化层位于所述钝化层远离所述基底的一侧,所述平坦化层远离所述基底一侧平齐。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板以及位于所述阵列基板上的发光器件层;
所述发光器件层包括依次层叠的阳极层、发光层和阴极层;
所述阳极层与所述阳极连接结构电连接;所述阴极层与所述辅助阴极电连接。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一基底;
在所述基底上形成遮光层;所述遮光层至少覆盖所述基底上用于制备阳极连接结构和辅助阴极的区域;
在所述遮光层远离所述基底的一侧形成第一沉积层;
在所述第一沉积层远离所述基底的一侧形成阳极连接结构和辅助阴极。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述在所述遮光层远离所述基底的一侧形成第一沉积层,包括:
在所述遮光层远离所述基底的一侧形成缓冲层;所述缓冲层覆盖所述遮光层;
在所述缓冲层远离所述基底的一侧形成有源层;所述有源层包括对应于所述基底上用于制备阳极连接结构的区域的第一有源结构、对应于所述基底上用于制备辅助阴极的区域的第二有源结构以及对应于所述基底上用于制备薄膜晶体管器件的区域的第三有源结构;
在所述第一有源结构远离所述基底的一侧依次形成栅极绝缘层和栅极;
在所述有源层远离所述基底的一侧制备层间绝缘层。
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