[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置在审

专利信息
申请号: 202110240478.1 申请日: 2021-03-04
公开(公告)号: CN113036057A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 倪柳松 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/56;H01L21/84
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 张筱宁;王存霞
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置
【说明书】:

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,该阵列基板包括:基底、遮光层、第一沉积层、阳极连接结构以及辅助阴极;遮光层位于基底一侧,第一沉积层位于遮光层远离基底的一侧;阳极连接结构位于第一沉积层远离基底的一侧;辅助阴极位于第一沉积层远离基底的一侧,辅助阴极在基底上的正投影与阳极连接结构在基底上的正投影错开设置,且辅助阴极在基底上的正投影位于遮光层在基底上的正投影内,使得辅助阴极和阳极连接结构基本位于同一高度,从而保证后续沉积在辅助阴极和阳极连接结构上的第二沉积层的总厚度基本一致,在后续形成辅助阴极搭接孔时,不需要对阳极搭接孔进行过刻,避免了阳极搭接不良的产生,从而提高产品良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

在大尺寸打印OLED(有机电致发光二极管)显示面板制作时,因为显示面板是高清,高刷新频率的面板,需要采用打印OLED发光材料+顶发射结构进行。由于像素发光区与底层金属走线重叠,金属走线段差引起发光区膜层凸凹不平,发光层厚度不均匀会导致发光不均匀,严重影响显示效果。

目前,工艺上想实现厚度均匀的发光层,则首先要保证像素区域的基底是平坦的。为了满足大尺寸的显示面板对于高清显示的需求,高刷新频率的OLED显示面板,需要减少OLED阴极的电阻,即将一部分阴极走线在阵列基板制备的时候一并制备完成,这样的导电结构称为辅助阴极。由于辅助阴极上面会有覆盖上表面平整的沉积层,最后通过刻蚀将辅助阴极上面的沉积层去除,形成辅助阴极搭接孔与后续沉积的OLED的阴极相连。

现有的显示面板结构中,由于阳极连接结构与辅助阴极之间存在高度差,使得在刻蚀辅助阴极搭接孔上方的沉积层时,会造成对阳极连接结构上方的沉积层进行过刻,从而损伤阳极连接结构,造成阳极搭接不良,影响产品良率。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点,提出一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,以解决现有显示面板中因辅助阴极与阳极连接结构上的沉积层的总厚度存在差异而导致在阴极搭接孔完全刻蚀时,需要对阳极搭接孔进行过刻的问题。

第一个方面,本申请实施例提供了一种阵列基板,包括:基底、遮光层、第一沉积层、阳极连接结构以及辅助阴极;其中,遮光层位于所述基底一侧;第一沉积层位于所述遮光层远离所述基底的一侧;阳极连接结构位于所述第一沉积层远离所述基底的一侧;辅助阴极位于所述第一沉积层远离所述基底的一侧,所述辅助阴极在所述基底上的正投影与所述阳极连接结构在所述基底上的正投影错开设置,且所述辅助阴极在所述基底上的正投影位于所述遮光层在所述基底上的正投影内。

可选地,所述第一沉积层包括缓冲层、有源层和层间绝缘层,所述缓冲层覆盖所述遮光层,所述有源层位于所述缓冲层远离所述基底的一侧,所述层间绝缘层位于所述有源层远离所述基底的一侧;所述阳极连接结构和所述辅助阴极位于所述层间绝缘层远离所述基底的一侧,且所述阳极连接结构在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内;所述辅助阴极在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内。

可选地,所述遮光层包括相互绝缘的第一遮光结构和第二遮光结构;所述第一遮光结构的位置与所述阳极连接结构的位置对应;所述第二遮光结构的位置与所述辅助阴极的位置对应,且所述辅助阴极在所述基底上的正投影与所述第二遮光结构在所述基底上的正投影重叠。

可选地,所述有源层包括相互绝缘的第一有源结构和第二有源结构;所述阳极连接结构通过阳极搭接孔与阳极连接,所述第一有源结构的位置与所述阳极搭接孔的位置对应;所述第二有源结构的位置与所述辅助阴极的位置对应,且所述辅助阴极在所述基底上的正投影与所述第二有源结构在所述基底上的正投影重叠。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110240478.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top