[发明专利]基板处理方法和基板处理系统在审
申请号: | 202110241710.3 | 申请日: | 2021-03-04 |
公开(公告)号: | CN113394130A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 松田梨沙子;木下忍;大家学;庄司庆太 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 系统 | ||
1.一种基板处理方法,使用被供给至腔室的气体来处理基板,所述基板处理方法包括以下工序:
工序(a),在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中设定作为控制对象的气体的压力的阈值;
工序(b),向所述腔室的内部供给气体;
工序(c),测定所述流量控制器中的气体的压力;
工序(d),停止向所述腔室的内部供给气体;
工序(e),计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间;以及
工序(f),基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括工序(g),在所述工序(g)中,使用下述式(1),将在所述工序(c)中测定出的气体的压力换算为气体的流量,计算标准化后的气体的流量,
F=P×Fs(t)/Ps(t)···(1)
其中,F:标准化后的气体的流量、P:在所述工序(c)中测定出的气体的压力、t:从气体供给开始起的经过时间、Fs(t):时间t时的气体的流量的设定值、Ps(t):时间t时的气体的压力值。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述工序(f)中,用在所述工序(e)中计算出的时间对在所述工序(g)中标准化后的气体的流量进行积分来计算所述气体的总流量。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述工序(e)中计算的时间包括:
在所述工序(c)中测定出的气体的压力的上升时,该压力达到所述阈值前的前方时间;以及
在所述工序(c)中测定出的气体的压力的下降时,该压力达到所述阈值后的后方时间,
其中,所述前方时间和所述后方时间在所述工序(a)中设定。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
所述阈值为基于所述流量控制器测定出的气体流量的数据和实际的气体流量的数据来决定的值。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
所述前方时间和所述后方时间是基于所述流量控制器测定出的气体流量的数据和实际的气体流量的数据来决定的。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
还包括工序(h),在所述工序(h)中,判定在所述工序(f)中计算出的气体的总流量是否为期望范围的流量。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,
当在所述工序(h)中判断为在所述工序(f)中计算出的气体的总流量在期望范围内的情况下,继续进行基板处理。
9.根据权利要求7所述的基板处理方法,其特征在于,
当在所述工序(h)中判断为在所述工序(f)中计算出的气体的总流量在期望范围外的情况下,对所述流量控制器中的气体的流量的设定值进行反馈控制。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
在对一个基板进行处理时,重复进行所述工序(a)~所述工序(f),计算在各所述工序(f)中计算出的气体的总流量的平均。
11.根据权利要求1至10中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
所述工序(b)的上升时间和/或所述工序(d)的下降时间分别为3秒以下。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
通过重复进行气体的供给和停止来对所述基板进行処理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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