[发明专利]基板处理方法和基板处理系统

说明书

本发明提供一种基板处理方法和基板处理系统，高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。作为使用被供给至腔室的气体来处理基板的方法，该方法包括以下工序：工序(a)，在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中，设定作为控制对象的气体的压力的阈值；工序(b)，向所述腔室的内部供给气体；工序(c)，测定所述流量控制器中的气体的压力；工序(d)，停止向所述腔室的内部供给气体；工序(e)，计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间；以及工序(f)，基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。

技术领域

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。

背景技术

在专利文献1中公开了一种在半导体制造装置所使用的气体供给装置中控制气体的流量的流量控制器的流量测量方法。作为测量气体的流量的方法，使用积层法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-32983号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式是使用被供给至腔室的气体对基板进行处理的方法，该方法包括以下工序：工序(a)，在测定向所述腔室供给的气体的压力来控制该气体的流量的流量控制器中，设定作为控制对象的气体的压力的阈值；工序(b)，向所述腔室的内部供给气体；工序(c)，测定所述流量控制器中的气体的压力；工序(d)，停止向所述腔室的内部供给气体；工序(e)，计算在所述工序(c)中测定出的气体的压力为所述阈值以上的时间；以及工序(f)，基于在所述工序(c)中测定出的气体的压力和在所述工序(e)中计算出的时间来计算向所述腔室供给的气体的总流量。

发明的效果

根据本公开，能够高精度地监视为了进行基板处理而供给的气体的总流量。

附图说明

图1是表示等离子体处理系统的结构的概要的说明图。

图2是表示气体供给部的结构的概要的说明图。

图3是表示处理气体的供给/停止的说明图。

图4是表示处理气体的供给/停止的说明图。

图5是表示气体供给时的微调的说明图。

图6是表示处理气体的监视方法的主要的工序的一例的流程图。

图7是表示重复进行处理气体的供给/停止的情形的说明图。

附图标记说明

1：等离子体处理系统；1a：等离子体处理装置；1b：控制部；10：等离子体处理腔室；20：气体供给部；22：流量控制器；W：晶圆。

具体实施方式

在半导体器件的制造工序中，对半导体晶圆(在以下称作“晶圆”。)进行蚀刻等处理。作为蚀刻方法，例如具有ALE(Atomic Layer Etching：原子层蚀刻)。在ALE中，交替地重复只作用于晶圆的最表面原子层的化学修饰工序和只去除被化学修饰过的部分的蚀刻工序，来一层层地蚀刻作为对象膜的原子层。