[发明专利]一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器

权利要求书

1.一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其结构包括：集成电路板(1)、窄禁带芯架板(2)、电阻架块(3)、单片机板(4)、铜片引脚板(5)，其特征在于：

所述窄禁带芯架板(2)紧贴于集成电路板(1)的左下角，所述电阻架块(3)安装于窄禁带芯架板(2)的顶部上，所述单片机板(4)设有两个以上并且均插嵌在集成电路板(1)的前侧，所述铜片引脚板(5)设有两个以上并且均紧贴于集成电路板(1)的底部下；

所述窄禁带芯架板(2)设有灭弧刷轮杆(2A)、变频继电板(2B)、窄禁带引脚(2C)；

所述灭弧刷轮杆(2A)设有三个并且均安装于变频继电板(2B)的右侧，所述窄禁带引脚(2C)设有三个并且均插嵌在变频继电板(2B)的左侧，所述灭弧刷轮杆(2A)与变频继电板(2B)电连接，所述变频继电板(2B)紧贴于集成电路板(1)的左下角；

所述灭弧刷轮杆(2A)由磁引刷架轮(2A1)、引脚球杆(2A2)组成，所述磁引刷架轮(2A1)安装于引脚球杆(2A2)的左侧，所述磁引刷架轮(2A1)与引脚球杆(2A2)嵌套成一体；

所述磁引刷架轮(2A1)由衔铁磁架杆(2A11)、电磁轴轮(2A12)组成，所述衔铁磁架杆(2A11)安装于电磁轴轮(2A12)的内部，所述衔铁磁架杆(2A11)与电磁轴轮(2A12)紧贴在一起；

所述变频继电板(2B)由变频继电器(2B1)、硅晶框槽板(2B2)组成，所述变频继电器(2B1)安装于硅晶框槽板(2B2)的内部，所述变频继电器(2B1)与硅晶框槽板(2B2)电连接；

所述变频继电器(2B1)由斜架波纹管(2B11)、变频器壳体(2B12)组成，所述斜架波纹管(2B11)安装于变频器壳体(2B12)的内部，所述斜架波纹管(2B11)与变频器壳体(2B12)插嵌在一起；

所述集成电路板(1)由二极管通孔(11)、电路面板(12)组成，所述二极管通孔(11)安装于电路面板(12)的内部，所述二极管通孔(11)与电路面板(12)为一体结构；

所述二极管通孔(11)由二极管支架(111)、通孔槽(112)组成，所述二极管支架(111)安装于通孔槽(112)的内部，所述二极管支架(111)与通孔槽(112)插嵌在一起；

所述电阻架块(3)由电阻块(31)、引脚框架(32)组成，所述电阻块(31)安装于引脚框架(32)的内部，所述电阻块(31)与引脚框架(32)电连接；

所述电阻块(31)由电阻管壳体(311)、铜芯柱块(312)组成，所述铜芯柱块(312)安装于电阻管壳体(311)的内部，所述电阻管壳体(311)与铜芯柱块(312)嵌套成一体。