[发明专利]一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器

说明书

本发明公开了一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其结构包括：集成电路板、窄禁带芯架板、电阻架块、单片机板、铜片引脚板，本发明实现了运用集成电路板与窄禁带芯架板相配合，通过在内置叠层的复合电路面板引导二极管通孔对接变频继电板与窄禁带引脚形成横通错位变频继电操作效果，保障变频继电器内斜架波纹管增幅防护度和窄禁带引脚的半导体化合物的窄禁带叠层继电操作效果，再通过灭弧刷轮杆提升磁随机存储器的电磁抗干扰强度和隔板静电粒子与灰尘颗粒，提升内部继电接触的中控输入输出精细化架构电路面板操作效果，提升存储器的时效性和耐用度，降低宕机隐患，提升流畅的存储运作效率。

技术领域

本发明是一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，属于电子领域。

背景技术

磁随机存储器的双极型晶体管存储和复合半导体存储操作高效，提升电脑主机运存密度和大数据整合的高速运算效率，保障内存条持续高频数据输入输出读取的灵敏度和精密度，目前技术公用的待优化的缺点有：

基于III-V族窄禁带的光伏半导体化合物芯片板制备单片机集成的磁随机存储器，在磁电阻性质上有较好的介质传递电信号程度操作，但叠加的半导体板块会由于磁钮线产生静电粒子和吸附灰尘颗粒，从而影响用双极型晶体管的半导体存储条运算效率，致使内存条持续宕机或者读取失败现象，影响电脑主机的运行缓存带和数据库转化操作。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明目的是提供一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，以解决基于III-V族窄禁带的光伏半导体化合物芯片板制备单片机集成的磁随机存储器，在磁电阻性质上有较好的介质传递电信号程度操作，但叠加的半导体板块会由于磁钮线产生静电粒子和吸附灰尘颗粒，从而影响用双极型晶体管的半导体存储条运算效率，致使内存条持续宕机或者读取失败现象，影响电脑主机的运行缓存带和数据库转化操作的问题。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其结构包括：集成电路板、窄禁带芯架板、电阻架块、单片机板、铜片引脚板，所述窄禁带芯架板紧贴于集成电路板的左下角并且处于同一竖直面上，所述电阻架块安装于窄禁带芯架板的顶部上，所述单片机板设有两个以上并且均插嵌在集成电路板的前侧，所述铜片引脚板设有两个以上并且均紧贴于集成电路板的底部下，所述窄禁带芯架板设有灭弧刷轮杆、变频继电板、窄禁带引脚，所述灭弧刷轮杆设有三个并且均安装于变频继电板的右侧，所述窄禁带引脚设有三个并且均插嵌在变频继电板的左侧，所述灭弧刷轮杆与变频继电板电连接并且处于同一竖直面上，所述变频继电板紧贴于集成电路板的左下角并且处于同一竖直面上。

为优化上述技术方案，进一步采取的措施为：

作为本发明的进一步改进，所述灭弧刷轮杆由磁引刷架轮、引脚球杆组成，所述磁引刷架轮安装于引脚球杆的左侧，所述磁引刷架轮与引脚球杆嵌套成一体并且处于同一竖直面上。

作为本发明的进一步改进，所述磁引刷架轮由衔铁磁架杆、电磁轴轮组成，所述衔铁磁架杆安装于电磁轴轮的内部，所述衔铁磁架杆与电磁轴轮紧贴在一起并且处于同一竖直面上。

作为本发明的进一步改进，所述变频继电板由变频继电器、硅晶框槽板组成，所述变频继电器安装于硅晶框槽板的内部，所述变频继电器与硅晶框槽板电连接并且处于同一竖直面上。

作为本发明的进一步改进，所述变频继电器由斜架波纹管、变频器壳体组成，所述斜架波纹管安装于变频器壳体的内部，所述斜架波纹管与变频器壳体插嵌在一起并且处于同一竖直面上。

作为本发明的进一步改进，所述集成电路板由二极管通孔、电路面板组成，所述二极管通孔安装于电路面板的内部，所述二极管通孔与电路面板为一体结构并且处于同一竖直面上。

作为本发明的进一步改进，所述二极管通孔由二极管支架、通孔槽组成，所述二极管支架安装于通孔槽的内部，所述二极管支架与通孔槽插嵌在一起并且处于同一竖直面上。