[发明专利]一种高效ITO废靶回收再利用的方法

说明书

本发明公开了一种高效ITO废靶回收再利用的方法，属于ITO靶材回收技术领域，该方法包括以下步骤：S1、清洗：用丙酮擦拭ITO废靶表面，然后用超声波清洗干净，干燥后备用；S2、电弧气化：将清洗后的ITO废靶放入直流电弧气化反应室中，通入100‑200V直流电压产生的电弧，以将ITO废靶熔化、气化；S3、粉末回收：将气化后的ITO废靶骤冷，然后经分级收粉系统，得到ITO粉末。本发明In的回收率较高，且具有高效、环保节能等优点。

技术领域

本发明涉及ITO靶材回收技术领域，更具体地说，它涉及一种高效ITO废靶回收再利用的方法。

背景技术

铟锡氧化物ITO是重要的半导体陶瓷材料，主要成分为In₂O₃、SnO₂，通过四价锡掺杂到氧化铟晶格中而增强其导电性。ITO薄膜因其优良的透明、导电、隔热以及红外反射、雷达波透过等综合性能，在光电子、传感器、太阳能和宽频谱隐身等高技术领域具有广泛应用前景，还可作为电化学反应的电极有效分解工业废物。采用ITO靶材通过真空镀膜等途径制备的ITO薄膜已成为TFT-LCD、PDP等平板显示器不可或缺的关键材料，也促使ITO靶材发展成令人瞩目的战略性高科技产业。

工业应用中，ITO靶材溅射镀膜的利用率一般仅为30-40％，剩余的部分成为废靶材，再加上靶材成型过程中产生的边角料、切削、废品，利用废靶材回收金属In成为再生In的主要来源，占再生In总量的50-60％。因此，研究经济、高效的ITO废靶回收技术很有意义。

传统ITO废靶回收技术的核心在于In、Sn的有效分离。利用In、Sn性质的差别，将其分离的方法有电解、水解沉淀、碱法分离、置换等方法，这些方法都存在In、Sn分离不彻底，效率较低等不足。靶材中的贵金属In不能够完全回收，并且金属Sn也会以废料的形式被浪费，还会污染空气。

有鉴于此，本发明提供一种高效ITO废靶回收再利用的方法。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种高效ITO废靶回收再利用的方法，具有高效、环保节能等优点。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种高效ITO废靶回收再利用的方法，包括以下步骤：

S1、清洗

用丙酮擦拭ITO废靶表面，然后用超声波清洗干净，干燥后备用；

S2、电弧气化

将清洗后的ITO废靶放入直流电弧气化反应室中，通入100-200V直流电压产生的电弧，以将ITO废靶熔化、气化；

S3、粉末回收

将气化后的ITO废靶骤冷，然后经分级收粉系统，得到ITO粉末。

进一步优选为：在步骤S1中，通过60-70℃的纯净水对ITO废靶超声波清洗30-40min。

进一步优选为：在步骤S1中，所述ITO废靶纯度为99.99％，In₂O₃/SnO₂的质量比为9∶1。

进一步优选为：在步骤S3中，所述分级收粉系统包括依次管道连接的沉降器、风机、旋风收粉器和布袋收粉器。

进一步优选为：所述布袋收粉器包括支腿、固定块、支撑杆、筒体、出粉管、排灰机构、滤袋、底筒和进气管；

所述筒体包括固定筒体及与所述固定筒体上下滑动配合的活动筒体，所述滤袋包括固定滤袋和活动滤袋，所述固定滤袋固定在所述固定筒体内，所述活动滤袋可拆卸连接在所述活动滤袋下端，以使所述活动滤袋与所述固定滤袋连通；