[发明专利]一种缓冲片的加工方法

权利要求书

1.一种缓冲片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)铜箔分卷；

2)表面微蚀处理：利用浓度为50g/L的过硫酸钠进行微蚀处理，咬蚀量为0.6um；

3)铜箔表面涂硅胶处理剂：通过处理剂涂布机在铜箔一面涂覆一层2μm厚的开放式硫化硅胶处理剂，然后在120度的隧道炉中烘烤至处理剂中溶剂挥发完全；

4)硅胶压覆于铜箔表面；

5)高温烘烤硫化：利用铂金硫化剂进行高温硫化，设定隧道炉温度为150度，硫化时间为6min；

6)喷哑光硅油：利用白电油清洁硅胶表面，过自动喷涂机喷手感油，其中，速度为2m/min，隧道炉温度为170度，时间为10min；

7)喷手感油：以2m/min的速度经过自动喷涂机喷手感油，隧道炉温度为170度，时间为10min。

2.根据权利要求1所述的一种缓冲片的加工方法，其特征在于，在利用处理机对铜箔表面进行处理的过程中，处理机参数包括以下内容：

上、下药液压力：2.5kg/cm²，上、下水洗压力：2.5kg/cm²，速度：3m/min，且水洗采用去离子水进行水洗。

3.根据权利要求1所述的一种缓冲片的加工方法，其特征在于，在涂硅胶处理剂的过程中，处理剂涂布以及烘烤参数包括以下内容：

涂布速度：1.5m/min，上、下涂布轮压力：2.0kg/cm²，烘烤时间：20分钟，温度：120度。

4.根据权利要求1所述的一种缓冲片的加工方法，其特征在于，在进行硅胶硫化的过程中，采用五辊压延机进行压延，运行速度为5m/min。