[发明专利]一种缓冲片的加工方法

说明书

本发明公开了一种缓冲片的加工方法，包括以下步骤：1)铜箔分卷；2)表面微蚀处理：利用浓度为50g/L的过硫酸钠进行微蚀处理，咬蚀量为0.6um；3)铜箔表面涂硅胶处理剂；4)硅胶压覆于铜箔表面；5)高温烘烤硫化：利用铂金硫化剂进行高温硫化，设定隧道炉温度为150度，硫化时间为6min；6)喷哑光硅油：利用白电油清洁硅胶表面，过自动喷涂机喷手感油，其中，速度为2m/min，隧道炉温度为170度，时间为10min；7)喷手感油：以2m/min的速度经过自动喷涂机喷手感油，隧道炉温度为170度，时间为10min。本发明提供的方法可操作性强，可广泛应用于FPC加工技术领域。

技术领域

本发明涉及FPC加工技术领域，具体是指一种缓冲片的加工方法。

背景技术

在FPC柔性电路板的加工过程中，需要用到缓冲片。现有的缓冲片都是采用矽铝箔制作而成，矽铝箔也叫硅铝箔，矽铝箔是由硅胶与铝箔烧结热处理方式结合在一起的。通过利用快速压合热处理设备来加工FPC柔性电路板、电热片、电池导电线等电子产品，此法制作的矽铝箔硅胶与铝箔的粘接力差(铝箔表面粗化处理技术落后)。

因此，一种能够解决上述问题的方法有待提出。

发明内容

针对以上问题，本发明提出了一种表面粗化均匀性好、热性能佳的缓冲片的加工方法。

本发明提供的技术方案为：

一种缓冲片的加工方法，包括以下步骤：

1)铜箔分卷；

2)表面微蚀处理：利用浓度为50g/L的过硫酸钠进行微蚀处理，咬蚀量为0.6um；

3)铜箔表面涂硅胶处理剂：通过处理剂涂布机在铜箔一面涂覆一层2μm厚的开放式硫化硅胶处理剂，然后在120度的隧道炉中烘烤至处理剂中溶剂挥发完全；

4)硅胶压覆于铜箔表面；

5)高温烘烤硫化：利用铂金硫化剂进行高温硫化，设定隧道炉温度为150度，硫化时间为6min；

6)喷哑光硅油：利用白电油清洁硅胶表面，过自动喷涂机喷手感油，其中，速度为2m/min，隧道炉温度为170度，时间为10min；

7)喷手感油：以2m/min的速度经过自动喷涂机喷手感油，隧道炉温度为170度，时间为10min。

进一步地，在利用处理机对铜箔表面进行处理的过程中，处理机参数包括以下内容：

上、下药液压力：2.5kg/cm²，上、下水洗压力：2.5kg/cm²，速度：3m/min，且水洗采用去离子水进行水洗。

进一步地，在涂硅胶处理剂的过程中，处理剂涂布以及烘烤参数包括以下内容：

涂布速度：1.5m/min，上、下涂布轮压力：2.0kg/cm²，烘烤时间：20分钟，温度：120度。

进一步地，在进行硅胶硫化的过程中，采用五辊压延机进行压延，运行速度为5m/min。

本发明与现有技术相比的优点在于：

铜箔导热性优于铝箔，能够更快将快压机热能传递到所加工产品上，以提高生产效率；铜箔表面粗化处理技术先进，表面粗化均匀性好，铜箔表面粗化均匀性好，使之与硅胶结合力增强，从而增加产品使用寿命；硅胶采用压延的方式附着于铜箔上，比之常规的平板机附着方式厚度均匀性好，厚度精度易控制。

附图说明

图1是通过本发明提出的方法制作成的缓冲片的结构图。

具体实施方式

下面结合附图1对本发明做进一步的详细说明。