[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

获得包括第一衬底和第一互连结构的第一处理晶圆，所述第一衬底包含半导体材料，所述第一互连结构包括介电材料之间的金属互连件；

用第一修整工艺去除所述第一互连结构的边缘区域，所述第一修整工艺以比所述第一衬底的所述半导体材料快的速率去除所述第一互连结构的所述介电材料；

在去除所述第一互连结构的边缘区域之后，用第二修整工艺去除所述第一衬底的边缘区域，所述第二修整工艺以比所述第一互连结构的所述介电材料快的速率去除所述第一衬底的所述半导体材料；以及

将第二处理晶圆接合到所述第一处理晶圆的正面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一修整工艺沿着第一方向去除所述第一互连结构的所述边缘区域，并且所述第二修整工艺沿着第二方向去除所述第一衬底的所述边缘区域，所述第一方向与所述第二方向形成钝角，所述第二方向垂直于所述第一衬底的有源表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一修整工艺是第一蚀刻工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺是用碳氟化合物、氢氟碳化合物或氧气执行的等离子体蚀刻，所述等离子体蚀刻是使用在100W至5000W的范围内的等离子体生成功率执行的，所述等离子体蚀刻是在1mTorr至500mTorr的范围内的压力下执行的，所述等离子体蚀刻被执行达10秒至600秒的范围内的持续时间。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺是用在300nm至600nm的范围内的波长执行的激光蚀刻，所述激光蚀刻是使用在1W至30W的范围内的激光生成功率执行的，所述激光蚀刻被执行达10^-15秒至10^-9秒的范围内的持续时间。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二修整工艺是机械工艺。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述第二修整工艺是第二蚀刻工艺，所述第二蚀刻工艺以与所述第一蚀刻工艺不同的蚀刻参数来执行。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第二处理晶圆接合到所述第一处理晶圆包括：

在所述第一处理晶圆上沉积第一介电层；

在所述第一介电层中形成第一金属部件；

在所述第二处理晶圆上沉积第二介电层；

在所述第二介电层中形成第二金属部件；

在所述第一介电层与所述第二介电层之间形成电介质-电介质接合；以及

在所述第一金属部件与第二金属部件之间形成金属-金属接合。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

获得包括衬底和互连结构的第一处理晶圆；

蚀刻所述互连结构，以从所述第一处理晶圆的边缘区域去除所述互连结构；

在蚀刻所述互连结构之后，锯切所述衬底，以去除所述第一处理晶圆的边缘区域中的所述衬底的第一部分；

将所述第一处理晶圆接合到所述第二处理晶圆；以及

使衬底减薄，以去除在所述第一处理晶圆的边缘区域中的所述衬底的第二部分。

10.一种半导体器件，包括：

第一晶圆，包括第一衬底和第一互连结构，所述第一互连结构的侧壁与所述第一衬底的侧壁形成钝角；以及

第二晶圆，接合到所述第一晶圆，所述第二晶圆包括第二衬底和第二互连结构，所述第一衬底的所述侧壁从所述第二衬底的侧壁和所述第二互连结构的侧壁横向地偏移。