[发明专利]具有预蚀刻制程的蚀刻装置

说明书

本发明为一种具有预蚀刻制程的蚀刻装置，其具有并列设置的一测量机构、一整平机构、一蚀刻机构及一贯穿位在各机构内部的移送机构，该测量机构及该整平机构对待加工的电路板进行测量并以预蚀刻制程使电路板的铜箔厚度相同，该蚀刻机构以第一蚀刻部对电路板进行粗略蚀刻处理，以第二蚀刻部所喷出特定比例的蚀刻液进行较为细致的蚀刻处理，并以所设的吸取部将电路板的蚀刻液进行去除处理，由此达到提高蚀刻因子的功效。

技术领域

本发明为印刷电路板的制造设备，尤指一种运用蚀刻技术将导电材料予以移除以制成线路或图案的蚀刻装置。

背景技术

现有技术的电路板，其构造在基板上设置有具导电的铜箔，基板的铜箔上在欲形成线路或图案处涂布有作为遮罩层的阻剂膜，没有被阻剂膜阻隔的铜箔导电层将被蚀刻液予以去除，最后位在基板上为具有导电功能的线路或图案。

为了提供现有各种高科技产品的使用，电路板的体积逐渐缩小并设置有较多的线路，使得所设置线路的宽度或各线路之间的间隔大幅缩小，因此在运用蚀刻工程进行线路或图案加工时，蚀刻装置以蚀刻液喷洒在基板的铜箔上，蚀刻液与未受到阻剂膜遮挡保护的铜箔进行蚀刻加工，由于蚀刻液的粒径大，无法将线路之间间隔极小的线路或图案进行加工，导致有难以提升蚀刻因子(E/F etch factor)的缺点存在。

为解决此缺点，现有技术公开有中国台湾发明第TWI539876号“蚀刻方法及蚀刻装置”专利，其技术手段具备有由1流体喷嘴喷射蚀刻液而吹附在蚀刻对象物的蚀刻对象面，将蚀刻对象面进行蚀刻的第1蚀刻工程，以及将蚀刻液与气体混合后由2流体喷嘴喷射，将蚀刻液吹附在第1蚀刻工程中所被蚀刻的蚀刻对象面，以达到将蚀刻对象面进一步蚀刻的第2蚀刻工程，第2蚀刻工程具有更为微小液滴的蚀刻液，通过比第1蚀刻工程更强的冲击力吹附在蚀刻对象面，因此在有效的合并使用1流体喷嘴所喷射出的蚀刻液及2流体喷嘴所喷射出的由蚀刻液与气体混合的混合液后，可适当的提升蚀刻因子。

前述现有已公开发明的技术手段虽可提升蚀刻因子，然而现有电路板为因应高科技产品的需要，所蚀刻制作的线路或图案朝向细微化的趋势，因此针对蚀刻因子的提升有再改善的需要。

发明内容

本发明为解决前述现有技术所存在的问题及缺点，所运用的技术手段先将待加工的电路板上的铜箔以预蚀刻制程使铜箔具有相同厚度，再以第一蚀刻部对电路板进行粗略的蚀刻处理，接着以第二蚀刻部所喷出的第二蚀刻液液体量相对于第一喷嘴及第二喷嘴所喷射出总量的比例占55％以上，对电路板铜箔进行较为细致的蚀刻处理，可获得较高的蚀刻因子。

本发明为了可达到前述的发明目的，所运用的技术手段在于提供一种具有预蚀刻制程的蚀刻装置，其包括有一移送机构、一测量机构、一整平机构及一蚀刻机构，该移送机构贯穿位在依序排列的该测量机构、该整平机构及该蚀刻机构内部；

该移送机构可用于将一待加工的电路板予以移送，其具有一机架，机架上设有相互平行设置的多个下传送杆体，各该下传送杆体形成为一第一横向移送位置，机架另设有相互平行设置的多个上传送杆体，各该上传送杆体形成为一第二横向移送位置且相对的位在该蚀刻机构，该第一横向移送位置与该第二横向移送位置之间形成有一可供电路板移送的间隔；

该测量机构包括有至少一感测器并安在一架体，该感测器可对位在第一横向移送位置的电路板的铜箔厚度进行测量，并将测量后的信息传送至一运算处理单元；

该整平机构具有一预蚀刻器及多个喷嘴，该预蚀刻器及各该喷嘴为对应于移送机构的运送路径，该预蚀刻器与该运算处理单元连接，该运算处理单元可控制各该喷嘴喷出的蚀刻液，而对电路板铜箔表面进行预蚀刻；

该蚀刻机构具有一蚀刻处理室，该蚀刻处理室一中空体且底部具有一槽体，该槽体内盛装有蚀刻液，该蚀刻处理室的内部安装有一第一蚀刻部、一第二蚀刻部及一吸取部，该第一蚀刻部及第二蚀刻部依电路板移送方向并列设置，该吸取部具有多个吸嘴，各吸嘴为相邻于该第一蚀刻部及该第二蚀刻部设置，该吸嘴具有至少一吸入口且对应于移送通过的电路板上方表面，以去除位在电路板上的蚀刻液；