[发明专利]一种遮罩结构及隔离柱制作方法在审
申请号: | 202110245246.5 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113161508A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 温质康;乔小平;苏智昱 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L27/32 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 隔离 制作方法 | ||
1.一种遮罩结构,其特征在于,包括第一掩膜框、第二掩膜框和非镂空区域;
所述第一掩膜框围绕所述非镂空区域,所述第一掩膜框和所述非镂空区域具有间隔,所述第一掩膜框和所述非镂空区域之间的间隔为镂空区域;
所述第二掩膜框设置在所述第一掩膜框的顶部和所述非镂空区域的顶部上,所述第二掩膜框围绕所述非镂空区域,所述第二掩膜框上设置开孔,所述开孔位于镂空区域的上方,所述开孔用于作为薄膜材料沉积的通道。
2.根据权利要求1所述的一种遮罩结构,其特征在于,所述第二掩膜框呈现倒“凹”字形的形状,所述开孔设置在倒“凹”字形的第二掩膜框中间的顶部。
3.根据权利要求1所述的一种遮罩结构,其特征在于,所述非镂空区域的底部位于所述第一掩膜框的底部和所述第一掩膜框的顶部之间,所述第一掩膜框的底部内侧壁用于围绕衬底上的发光器件外侧壁。
4.根据权利要求3所述的一种遮罩结构,其特征在于,所述非镂空区域的厚度在0.1毫米以上,在0.3毫米以下;或者:
所述第一掩膜框的厚度在3毫米以上,在5毫米以下。
5.根据权利要求1所述的一种遮罩结构,其特征在于,所述开孔为多个,多个的开孔沿着非镂空区域设置。
6.根据权利要求1所述的一种遮罩结构,其特征在于,所述第一掩膜框为矩形的框架,所述非镂空区域的形状为矩形。
7.一种隔离柱制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一衬底,所述衬底承载有发光器件;
将遮罩结构的底部正对衬底的发光器件,遮罩结构的底部为第一掩膜板上远离第二掩膜板的一面,其中所述遮罩结构包括第一掩膜框、第二掩膜框和非镂空区域,所述第一掩膜框围绕所述非镂空区域,所述第一掩膜框和所述非镂空区域具有间隔,所述第一掩膜框和所述非镂空区域之间的间隔为镂空区域,所述第二掩膜框设置在所述第一掩膜框的顶部和所述非镂空区域的顶部上,所述第二掩膜框围绕所述非镂空区域,所述第二掩膜框上设置开孔,所述开孔位于镂空区域的上方,所述开孔用于作为沉积的通道;
薄膜材料通过遮罩结构的开孔沉积在发光器件上,形成隔离柱,所述隔离柱环绕所述发光器件。
8.根据权利要求7所述一种隔离柱制作方法,其特征在于,所述将遮罩结构的底部正对衬底的发光器件的步骤为:
将非镂空区域的底部贴合于发光器件的顶部,将第一掩膜框的底部内侧贴合于发光器件的外侧壁。
9.根据权利要求7所述一种隔离柱制作方法,其特征在于,所述第二掩膜框呈现倒“凹”字形的形状,所述开孔设置在倒“凹”字形的第二掩膜框中间的顶部。
10.根据权利要求7所述一种隔离柱制作方法,其特征在于,还包括如下步骤:
在发光器件上制作封封装结构,所述隔离柱环绕所述封装结构。
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H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择