[发明专利]一种遮罩结构及隔离柱制作方法在审
申请号: | 202110245246.5 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113161508A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 温质康;乔小平;苏智昱 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L27/32 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 隔离 制作方法 | ||
本发明公布一种遮罩结构及隔离柱制作方法,遮罩结构包括第一掩膜框、第二掩膜框和非镂空区域;所述第一掩膜框围绕所述非镂空区域,所述第一掩膜框和所述非镂空区域具有间隔,所述第一掩膜框和所述非镂空区域之间的间隔为镂空区域;所述第二掩膜框设置在所述第一掩膜框的顶部和所述非镂空区域的顶部上,所述第二掩膜框围绕所述非镂空区域,所述第二掩膜框上设置开孔,所述开孔位于镂空区域的上方,所述开孔用于作为薄膜材料沉积的通道。上述技术方案通过第二掩膜框来定位第一掩膜框和非镂空区域,当薄膜材料从第一掩膜框的顶部方向下沉积时,薄膜材料通过开孔和镂空区域沉积在下面的发光器件上,并形成隔离柱,可以减小了阴影效应的影响。
技术领域
本发明涉及掩膜板技术领域,尤其涉及一种遮罩结构及隔离柱制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,缩写OLED)的显示器件具备自发光特性、低功耗、宽视角、响应速度快、超轻超薄、抗震性好等特点,采用薄膜封装技术可实现OLED显示器件的可折叠、可弯折等特点。
薄膜封装技术(Thin Film Encapsulastion,缩写TFE),薄膜封装技术是在具有发光器件的衬底上,将有机材料蒸镀后,在发光器件上沉积Barrier layer(隔绝层)和Bufferlayer(平坦层),依次顺序制备3至5层的交叠结构来覆盖发光器件,起到隔绝水氧的作用。
其中Barrier layer(隔绝层)多采用PECVD(化学气相沉积)机台来沉积无机薄膜,无机薄膜如氮化硅,其作用是起到阻隔水氧的作用。Buffer layer(平坦层)多采用IJP(喷墨打印)机台涂布有机薄膜,有机薄膜如高分子聚合物、树脂等,其作用是覆盖无机层的缺陷,实现平坦化,还可以释放无机层之间的应力,实现柔性封装。
TFE薄膜封装结构制备过程中,有机墨水的具备一定粘度,经过喷墨头喷射在衬底上,有机墨水向四周扩散流平,为了防止有机墨水的扩散,在打印区域的四周设置一层柱状的隔离柱,此隔离柱必须经过涂布、曝光、显影、蚀刻、脱膜等工艺,隔离柱可以减弱蚀刻液对下层OLED器件层中的capping层(可以称作保护层)表面的腐蚀,还减弱了Capping层的消光和散射的能力。
现有的遮罩结构中非镂空区域的作用是遮挡非成膜区域,其作用是减少阴影区域(Sheet effact),非镂空区域的厚度尽量做到很薄,并采用掩膜框(Frame Mask)固定压合在非镂空区域的四周,掩膜框的作用是起到固定保护非镂空区域不变形。要制备隔离柱时,必须将非镂空区域和掩膜框分开,在非镂空区域和掩膜框之间制备镂空区域,此时非镂空区域失去了固定定位和保护,制备出来的隔离柱的宽度不一,非镂空区域还容易变形。
发明内容
为此,需要提供一种遮罩结构,解决遮罩结构制作出来的隔离柱的宽度不一,非镂空区域还易变形的问题。
为实现上述目的,本实施例提供了一种遮罩结构,包括第一掩膜框、第二掩膜框和非镂空区域;
所述第一掩膜框围绕所述非镂空区域,所述第一掩膜框和所述非镂空区域具有间隔,所述第一掩膜框和所述非镂空区域之间的间隔为镂空区域;
所述第二掩膜框设置在所述第一掩膜框的顶部和所述非镂空区域的顶部上,所述第二掩膜框围绕所述非镂空区域,所述第二掩膜框上设置开孔,所述开孔位于镂空区域的上方,所述开孔用于作为薄膜材料沉积的通道。
进一步地,所述第二掩膜框呈现倒“凹”字形的形状,所述开孔设置在倒“凹”字形的第二掩膜框中间的顶部。
进一步地,所述非镂空区域的底部位于所述第一掩膜框的底部和所述第一掩膜框的顶部之间,所述第一掩膜框的底部内侧壁用于围绕衬底上的发光器件外侧壁。
进一步地,所述非镂空区域的厚度在0.1毫米以上,在0.3毫米以下;或者:
所述第一掩膜框的厚度在3毫米以上,在5毫米以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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