[发明专利]一种铜离子检测的光纤传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种铜离子检测的光纤传感器，包括二模光纤马赫-曾德尔干涉仪(2)、宽带光源(1)和光谱仪(3)，其特征在于：所述宽带光源(1)连接干涉仪(2)一端，干涉仪(2)另一端连接光谱分析仪(3)，干涉仪(2)作为检测载体，用于滴入含铜离子的溶液，所述干涉仪(2)为二模光纤通过融熔拉锥的方法制备而成，并使用高分子修饰的硫化铅量子点功能化干涉仪表面，光谱分析仪(3)用于观察干涉光谱的情况；

所述高分子的制备步骤如下：

a-1.将4-氰基-4-(乙硫基硫代甲酰硫基)戊酸0.07mmol；聚乙二醇甲基丙烯酸酯3.5mmol；琥珀酸单[2-[(2-甲基-丙烯酰基)氧]乙基]酯3.5mmol，DMF 350mg作内参，溶于至少5mL的1,4-二氧六环，首先在冰水浴中鼓泡除氧至少30min，转移至不低于70℃油浴中；

a-2.温度稳定以后，用微量注射器加入除氧的含3.5mgAIBN的1,4-二氧六环溶液，反应16h，通过核磁计算出单体的转化率为100％，Mn＝17900；制备得到共聚高分子；

a-3.反应结束后，将反应溶液在乙醚中沉淀，离心，沉淀离心重复三次，旋蒸除掉溶剂，真空干燥。

2.一种根据权利要求1所述的铜离子检测的光纤传感器的制备方法，其特征在于，包括以下制造步骤：

a.高分子的制备；

b.硫化铅量子点的制备与修饰；

c.二模光纤马赫-曾德尔干涉仪(2)的制备与修饰；

d.宽带光源(1)、干涉仪(2)、和光谱仪(3)组装连接。

3.根据权利要求2所述的铜离子检测的光纤传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤a中的高分子的制备步骤如下：

a-1.将4-氰基-4-(乙硫基硫代甲酰硫基)戊酸0.07mmol；聚乙二醇甲基丙烯酸酯3.5mmol；琥珀酸单[2-[(2-甲基-丙烯酰基)氧]乙基]酯3.5mmol，DMF 350mg作内参，溶于至少5mL的1,4-二氧六环，首先在冰水浴中鼓泡除氧至少30min，转移至不低于70℃油浴中；

a-2.温度稳定以后，用微量注射器加入除氧的含3.5mgAIBN的1,4-二氧六环溶液，反应16h，通过核磁计算出单体的转化率为100％，Mn＝17900；制备得到共聚高分子；

a-3.反应结束后，将反应溶液在乙醚中沉淀，离心，沉淀离心重复三次，旋蒸除掉溶剂，真空干燥。