[发明专利]基于二维材料的用于3D集成的选通器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110248349.7 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113517392A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈琳;王天宇;孟佳琳;何振宇;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 二维 材料 用于 集成 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于二维材料的用于3D集成的选通器件，其特征在于，包括：
石墨烯二维材料层，作为底电极；
BN二维材料层，作为功能层；
顶电极阵列，包括多条以一定间隔排列的线状顶电极。
2.根据权利要求1所述的基于二维材料的用于3D集成的选通器件，其特征在于，所述石墨烯二维材料层的厚度为20nm~70nm。
3.根据权利要求1所述的基于二维材料的用于3D集成的选通器件，其特征在于，所述BN二维材料层的厚度为10nm~70nm。
4. 根据权利要求1所述的基于二维材料的用于3D集成的选通器件，其特征在于，所述线状顶电极的材料为Ag或Cu，宽度为2μm~20μm，厚度为 20nm~70nm。
5.一种基于二维材料的用于3D集成的选通器件的制备方法，其特征在于，具体步骤为：
采用机械剥离方法制备石墨烯二维材料层，作为底电极；
将BN二维材料层转移至所述石墨烯二维材料层上，作为功能层；
形成多条以一定间隔排列的线状顶电极，作为顶电极阵列。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯二维材料层的厚度为20nm~70nm。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述BN二维材料层的厚度为10nm~70nm。
8. 根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述线状顶电极的材料为Ag、Cu，宽度为2μm~20μm，厚度为 20nm~70nm。
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