[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底；

形成在所述基底表面的金属线图案，其中，所述金属线图案包含多根间隔分布的金属线；

覆盖在所述金属线图案的上表面的绝缘膜，且所述绝缘膜与所述基底表面间隔分布，以在任意相邻的两根金属线之间形成绝缘隔离该相邻两根金属线的气体隔离腔。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘膜为原子层沉积膜，所述绝缘膜的材料为SiN或者NDC。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述原子层沉积膜的厚度为

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属线图案为栅极图案、位线图案、接触插塞图案或互连线图案。

5.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底表面形成金属线图案，其中，所述金属线图案包含多根间隔分布的金属线；

在所述金属线图案的上表面覆盖绝缘膜，且所述绝缘膜与所述基底表面间隔分布，以在任意相邻的两根金属线之间形成绝缘隔离该相邻两根金属线的气体隔离腔。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基底表面形成金属线图案包括：

在所述基底表面形成牺牲膜层；

在所述牺牲膜层上刻蚀出金属线槽图案，其中，所述金属线槽图案包含多个金属线槽；

在所述金属线槽图案中形成所述金属线图案，其中，每个金属线槽中形成有一根金属线；

去除所述牺牲膜层。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述金属线图案的上表面覆盖绝缘膜包括：

在所述金属线图案中任意相邻的两根金属线之间填充旋涂式硬掩膜，且所述旋涂式硬掩膜还覆盖所述金属线图案的上表面；

刻蚀所述旋涂式硬掩膜至所述金属线图案的上表面；

在所述旋涂式硬掩膜和所述金属线图案的上表面形成所述绝缘膜；

去除所述绝缘膜及所述基底之间的所述旋涂式硬掩膜，使所述绝缘膜与所述基底表面间隔分布，以在任意相邻的两根金属线之间形成绝缘隔离该相邻两根金属线的气体隔离腔。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述在所述旋涂式硬掩膜和所述金属线图案的上表面形成所述绝缘膜包括：

采用原子层沉积工艺在所述旋涂式硬掩膜和所述金属线图案的上表面形成原子层沉积膜，由所述原子层沉积膜作为所述绝缘膜。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述旋涂式硬掩膜至所述金属线图案的上表面包括：

刻蚀所述旋涂式硬掩膜，直到所述旋涂式硬掩膜的上表面与所述金属线图案的上表面之间的高度差为之间。

10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述去除所述绝缘膜及所述基底之间的所述旋涂式硬掩膜，使所述绝缘膜与所述基底表面间隔分布，以在任意相邻的两根金属线之间形成绝缘隔离该相邻两根金属线的气体隔离腔包括：

采用热处理、气体或化学工艺去除所述绝缘膜及所述基底之间的所述旋涂式硬掩膜，使所述绝缘膜与所述基底表面间隔分布，以在任意相邻的两根金属线之间形成绝缘隔离该相邻两根金属线的气体隔离腔。