[发明专利]量子点光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 202110249911.8 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN113054054B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 赵金阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L27/144 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一具有图案化的电极基片;
在所述电极基片上进行至少两次电泳沉积,得到具有至少两个相互差异的量子点结构;
所述向所述电极基片进行至少两次以上电泳沉积包括:
将所述电极基片插入到第一种量子点溶液,向所述电极基片提供第一电压,使得所述第一种量子点溶液沉积到所述电极基片的第一预设位置,以在所述第一预设位置形成第一量子点结构;
将具有所述第一量子点结构的电极基片插入到第二种量子点溶液,向所述电极基片提供第二电压,使得所述第二种量子点溶液沉积到所述电极基片的第二预设位置,以在所述第二预设位置形成与所述第一量子点结构相互差异的第二量子点结构。
2.根据权利要求1所述的量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,所述第一量子点溶液与所述第二量子点溶液不同,所述第一电压的电场强度和所述第二电压的电场强度相同,所述第一量子点结构的厚度和所述第二量子点结构的厚度相同,所述第一量子点结构的材料和所述第二量子点结构的材料不同。
3.根据权利要求1所述的量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,所述第一量子点溶液与所述第二量子点溶液不同,所述第一电压的电场强度和所述第二电压的电场强度不相同,所述第一量子点结构的厚度和所述第二量子点结构的厚度不同,所述第一量子点结构的材料和所述第二量子点结构的材料不同。
4.根据权利要求1所述的量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,所述第一量子点溶液与所述第二量子点溶液相同,所述第一电压的电场强度和所述第二电压的电场强度不相同,所述第一量子点结构的厚度和所述第二量子点结构的厚度不同,所述第一量子点结构的材料和所述第二量子点结构的材料相同。
5.根据权利要求1所述的量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,所述第一种量子点溶液包含多个第一种带电量子点,所述第二种量子点溶液包含多个第二种带电量子点,所述第一种带点量子点的材料和所述第二种带点量子点的材料相同或者不同;和/或
所述第一种量子点溶液中多个第一种带点量子点的浓度和所述第二种量子点溶液中多个第二种带点量子点的浓度相同或不同。
6.根据权利要求1-5任一项所述的量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,所有量子点结构阵列排布形成量子点阵列层,在所述电极基片上进行至少两次电泳沉积之后,所述方法还包括:
在所述量子点阵列层的一侧沉积第一信号传输层;
在所述第一信号传输层远离所述量子点阵列层的一侧沉积第一电极层;
在所述量子点阵列层远离所述第一电极层的一侧沉积第二信号传输层;
在所述第二信号传输层远离所述量子点阵列层的一侧沉积第二电极层。
7.根据权利要求1-5任一项所述的量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,多个所述第一量子点结构在所述第一预设位置形成M个量子点结构行和N个量子点结构列;多个所述第二量子点结构在所述第二预设位置形成M个量子点结构行和N个量子点结构列;所述第一预设位置与所述第二预设位置相互间隔设置。
8.一种量子点光电探测器,其特征在于,采用如权利要求1-7中任一项所述的量子点光电探测器的制备方法制得,所述量子点光电探测器包括载体和布置于载体上的多个量子点结构,所述多个量子点结构中的至少两个所述量子点结构的材料、密度和厚度三者中的至少一个不同。
9.根据权利要求8所述的量子点光电探测器,其特征在于,所述多个量子点结构包括多组量子点结构,每组量子点结构包括至少两个量子点结构,且每组内的所有量子点结构的材料相同,各组之间的量子点结构的材料不同。
10.根据权利要求8所述的量子点光电探测器,其特征在于,所述多个量子点结构包括多组量子点结构,每组量子点结构包括至少两个量子点结构,所有量子点结构的材料均相同,厚度均不同和/或间距均不同。
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