[发明专利]像素单元电路、像素电路、驱动方法和显示装置在审
申请号: | 202110250570.6 | 申请日: | 2017-07-17 |
公开(公告)号: | CN112992061A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 杨盛际;董学;陈小川;王辉;王晏酩;卢鹏程;刘伟;王慧娟;玄明花 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3258 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 电路 驱动 方法 显示装置 | ||
1.一种像素单元电路,其特征在于,包括:
发光元件,第一端与低电平输入端耦接;
存储电容模块,第一端与一直流电压输入端耦接;
驱动晶体管,栅极与所述存储电容模块的第二端耦接,第一极与所述发光元件的第二端耦接;
第一控制模块,分别与栅线、数据线和所述驱动晶体管的栅极耦接,用于在所述栅线的控制下,控制所述驱动晶体管的栅极是否与所述数据线连接;以及,
电位控制晶体管,栅极和第一极都与所述驱动晶体管的第一极耦接,第二极与地端耦接。
2.如权利要求1所述的像素单元电路,其特征在于,所述栅线包括第一栅极开关线和第二栅极开关线;
所述第一控制模块包括:
第一晶体管,栅极与所述第一栅极开关线耦接,第一极与所述驱动晶体管的栅极耦接,第二极与所述数据线耦接;以及,
第二晶体管,栅极与所述第二栅极开关线耦接,第一极与所述数据线耦接,第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接。
3.如权利要求2所述的像素单元电路,其特征在于,所述第一晶体管为n型晶体管,所述第二晶体管为p型晶体管。
4.如权利要求1所述的像素单元电路,其特征在于,所述驱动晶体管为n型晶体管。
5.如权利要求1所述的像素单元电路,其特征在于,还包括第二控制模块;
所述第二控制模块的控制端与第一控制线连接,所述第二控制模块的第一端与高电平输入端连接,所述第二控制模块的第二端与所述驱动晶体管的第二极连接,所述第二控制模块用于在所述第一控制线的控制下,所述第二控制模块控制所述驱动晶体管的第二极是否与所述高电平输入端连接。
6.如权利要求5所述的像素单元电路,其特征在于,所述第二控制模块包括:第三晶体管,栅极与所述第一控制线连接,第一极与所述高电平输入端连接,第二极与所述驱动晶体管的第二极连接。
7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的像素单元电路,其特征在于,还包括:第三控制模块;
所述第三控制模块分别与第一控制线和地端连接,所述第三控制模块与所述驱动晶体管的第一极耦接,所述第三控制模块用于在所述第一控制线的控制下,控制所述驱动晶体管的第一极是否与所述地端连接。
8.如权利要求7所述的像素单元电路,其特征在于,所述第三控制模块包括:第四晶体管,栅极与所述第一控制线连接,第一极与所述驱动晶体管的第一极耦接,第二极与所述地端连接。
9.一种像素单元电路的驱动方法,用于驱动如权利要求5至8中任一权利要求所述的像素单元电路,其特征在于,所述像素单元电路的驱动方法包括:
在充电补偿阶段,在第一控制线的控制下,第二控制模块控制驱动晶体管的第二极与高电平输入端连接;在栅线的控制下,第一控制模块控制数据线上的数据电压Vdata写入驱动晶体管的栅极,以使得所述驱动晶体管导通,直至所述驱动晶体管的第一极的电位变为Vdata-Vth,所述驱动晶体管工作于恒定电流区;Vth为所述驱动晶体管的阈值电压;
在像素发光阶段,在第一控制线的控制下,第二控制模块控制驱动晶体管的第二极与高电平输入端连接,所述驱动晶体管工作于恒定电流区,驱动发光元件发光。
10.如权利要求9所述的像素单元电路的驱动方法,其特征在于,当所述像素单元电路还包括第三控制模块,所述第三控制模块分别与第一控制线和地端连接,所述第三控制模块与所述驱动晶体管的第一极耦接,所述第三控制模块用于在所述第一控制线的控制下,控制所述驱动晶体管的第一极是否与所述地端连接时,所述像素单元电路的驱动方法在所述充电补偿阶段之前还包括:
在重置阶段,在所述第一控制线的控制下,第三控制模块控制所述驱动晶体管的第一极与地端连接,以重置所述驱动晶体管的第一极的电位;
在所述充电补偿阶段和所述像素发光阶段,在所述第一控制线的控制下,所述第三控制模块控制断开所述驱动晶体管的第一极与地端之间的连接。
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