[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底，包含第1区域、第2区域及多个块区域，且所述第1区域及所述第2区域在第1方向上排列配置，所述多个块区域各自在所述第1方向上延伸设置，所述多个块区域在与所述第1方向交叉的第2方向上排列配置；

多个导电体层，在所述多个块区域的每一个中均被分断，所述多个导电体层在分别与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上排列并且彼此分开设置，所述多个导电体层具有多个阶台部分，所述多个阶台部分在所述第2区域与所述多个块区域重叠的各区域中分别设置成不与上层的导电体层重叠；

多个柱，设置在所述多个块区域的每一个中，所述多个柱各自贯通所述多个导电体层，所述柱与所述导电体层相交叉的部分作为存储胞发挥功能；以及

多个接点，在所述多个块区域的每一个中，分别设置在所述多个阶台部分之上；且

所述第2区域包含在所述第1方向上排列的第1子区域及第2子区域，

所述第1子区域包含第1阶梯构造，所述第1阶梯构造包含以下构造，即，所述多个阶台部分所包含的多个第1阶台部分在沿着所述第1方向并且朝向所述第1区域的方向上升级或降级，

所述第2子区域包含第2阶梯构造与第1图案，所述第2阶梯构造包含以下构造，即，所述多个阶台部分所包含的多个第2阶台部分在沿着所述第1方向并且远离所述第1区域的方向上升级或降级，所述第1图案与所述多个导电体层中的任一个连续设置，

所述第1图案配置在所述第1阶梯构造与所述第2阶梯构造之间，至少1个接点配置在与所述第1图案连续设置的导电体层的阶台部分和所述第1图案之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1阶梯构造配置在比所述第2阶梯构造更靠上之层，

所述第1图案与所述多个导电体层中形成所述第2阶梯构造的多个导电体层中的任一个连续设置。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述第1子区域包含第2图案，所述第2图案与所述多个导电体层中形成所述第1阶梯构造的多个导电体层中的任一个连续设置，

至少1个接点配置在与所述第2图案连续设置的导电体层的阶台部分和所述第2图案之间。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中形成在所述第1图案与所述第2图案之间的阶差的高度高于所述第2阶梯构造的高度，所述阶差与所述第1图案及所述第2图案两者相分离。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1图案与形成所述第2阶梯构造的多个导电体层中配置在最下层导电体层旁边的导电体层连续设置。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1图案的所述第1方向的宽度是所述阶台部分的所述第1方向的宽度的2倍以下。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1子区域及所述第2子区域被相邻的2个块区域的交界部分分断。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述相邻的2个块区域中的一个所包含的所述第1子区域及所述第2子区域的部分，与所述相邻的2个块区域中的另一个所包含的所述第1子区域及所述第2子区域的部分具有在所述第2方向上对称的构造。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1阶梯构造与所述第2阶梯构造具有除了高度不同以外，其它在所述第1方向上皆对称的构造。