[发明专利]外掩模、等离子体处理设备和光掩模的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110251327.6 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN113097046A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 饭野由规;宫本高志 申请(专利权)人: 芝浦机械电子株式会社
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/033;H01L21/3065;B23K10/00;G03F1/26;G03F1/76;G03F1/80;G03F1/82;G03F7/20;G03F7/42;B23K101/40
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 阎文君;李雪春
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 外掩模 等离子体 处理 设备 光掩模 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种在通过刻蚀被处理对象来制造光掩模时使用的外掩模,其特征在于,所述外掩模包括:

基部,其呈板形,并在中心区域具有开口;和

框架部,其呈框架形,沿着所述基部的第1面的外周边缘向所述基部的厚度方向突出地设置,

仅在所述被处理对象的设置有图案部的第2面的四个角处,所述框架部能够与所述第2面接触。

2.根据权利要求1所述的外掩模,其特征在于,

所述基部的平面形状与所述被处理对象相同,

所述基部的外形比所述被处理对象的外形大了在垂直所述框架部的边的方向上的厚度的大小,

所述框架部的厚度与所述基部的厚度相同。

3.一种等离子体处理设备,其特征在于,包括:

储存部,其用于储存被处理对象;

外掩模储存部,其用于储存权利要求1或2所述的外掩模;

传送部,其用于将从所述外掩模储存部移出的所述外掩模放置在从所述储存部移出的所述被处理对象上;和

处理部,其用于对放置有所述外掩模的所述被处理对象执行等离子体处理。

4.一种用于通过刻蚀被处理对象来制造光掩模的方法,其特征在于,所述方法包括以下工序:

将权利要求1所述的外掩模放置在所述被处理对象上;以及

对放置有所述外掩模的所述被处理对象执行等离子体处理。

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