[发明专利]外掩模、等离子体处理设备和光掩模的制造方法

说明书

本发明涉及一种在通过刻蚀被处理对象来制造光掩模时使用的外掩模，所述外掩模包括：基部，其呈板形，并在中心区域具有开口；和框架部，其呈框架形，沿着所述基部的第1面的外周边缘向所述基部的厚度方向突出地设置，仅在所述被处理对象的设置有图案部的第2面的四个角处，所述框架部能够与所述第2面接触。

本申请是申请日为2018年03月29日、发明名称为“外掩模、等离子体处理设备和光掩模的制造方法”的、申请号为“201810271375.X”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施例涉及外掩模、等离子体处理设备和光掩模的制造方法。

背景技术

使用光刻法(photolithography method)来制造诸如半导体装置等微结构。在光刻法中，使用光掩模(photo mask)执行曝光。近年来，提出了通过提高曝光中的分辨率或焦点深度来提高转录性能的相移掩模(phase shift mask)或EUV光刻中使用的利用超紫外光(EUV)执行精细图案的转录的反射掩模(reflective mask)等，以代替二元掩模(binarymask)。

在制造相移掩模或反射掩模时也使用光刻法。例如，在制造相移掩模时，通过在由石英构成的基部上形成包含钼硅(MoSi)的层，在包含钼硅(MoSi)的层上形成包含铬(Cr)的层，在包含铬的层上涂布光致抗蚀剂(photo-resist)，并且使用光刻法等执行图案化来形成抗蚀剂掩模(resisit mask)，在包含铬的层形成期望图案，且通过干法刻蚀使用作为刻蚀掩模的抗蚀剂掩模来形成包含钼硅的层，并且之后，通过再次形成抗蚀剂掩模并且通过干法刻蚀来除去包含钼硅的图案上的包含铬的层。

同时，在除去包含铬的层时，包含铬的残留物可能残留在包含钼硅的图案上。当存在包含铬的残留物时，诸如透过率等光学特性发生变化，且相移掩模的功能降低，由此需要除去包含铬的残留物。因此，当含有铬的残留物残留时，通过再次涂布光致抗蚀剂并且再次使用光刻法等进行图案化来形成抗蚀剂掩模，并且再次通过干法刻蚀使用作为刻蚀掩模的抗蚀剂掩模来除去含有铬的残留物。

以这种方式，能够去除含有铬的残留物。然而，光致抗蚀剂的再次涂布以及图案化需要时间，从而导致生产效率降低。

此处，提出了一种通过在等离子体处理设备的处理容器内部设置与被处理对象相对的遮蔽器并且改变遮蔽器的开口的大小来除去期望区域中的层的技术(例如，参见专利文献1)。

当在除去含有铬的层时使用该技术的情况下，不再需要再次涂布光致抗蚀剂并执行图案化。

然而，通过简单地形成与被处理对象相对的遮蔽器，存在的风险在于，经由遮蔽器的开口供应的自由基(中性活性型)可在包含钼硅的图案的外侧处到达包含铬的层的表面，并且包裹在遮蔽器的侧部周围的自由基可在包含钼硅的图案的外侧处到达包含铬的层的表面。当自由基到达包含铬的层的表面时，包含铬的层被刻蚀，并且相移掩模的功能可降低。

因此，期望开发出一种能够抑制光掩模的功能的降低并且能够提高生产率的技术。

引用列表

专利文献

专利文献1：JP 5696418B

发明内容

提供了一种在通过刻蚀被处理对象来制造光掩模时使用的外掩模，所述外掩模包括：基部，其呈板形，并在中心区域具有开口；和框架部，其呈框架形，沿着所述基部的第1面的外周边缘向所述基部的厚度方向突出地设置，仅在所述被处理对象的设置有图案部的第2面的四个角处，所述框架部能够与所述第2面接触。

附图说明

图1是说明等离子体处理设备的布置图。

图2是说明处理部的示例的示意性剖视图。