[发明专利]元件剥离装置及其方法在审
申请号: | 202110251391.4 | 申请日: | 2021-03-08 |
公开(公告)号: | CN113097119A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 黄显;卢王威;杨晴 | 申请(专利权)人: | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/48 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 周景 |
地址: | 314006 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 剥离 装置 及其 方法 | ||
1.一种元件剥离装置,其特征在于,包括基座、热释放胶带和加热器,所述基座上设有至少一个热释放柱,所述热释放胶带一侧用于粘附多个元件,所述热释放胶带另一侧用于放置在所述热释放柱上,所述基座设置在所述加热器上,所述加热器用于对所述基座和所述热释放柱加热,当所述热释放柱的温度升高时,所述热释放胶带对与所述热释放柱位置对应的所述元件的粘附力减小。
2.如权利要求1所述的元件剥离装置,其特征在于,所述基座上还设有支撑膜,所述支撑膜用于承载所述热释放胶带,所述热释放柱的热导率大于所述支撑膜的热导率。
3.如权利要求2所述的元件剥离装置,其特征在于,所述热释放柱的热导率与所述支撑膜的热导率的比值大于或等于1000。
4.如权利要求2所述的元件剥离装置,其特征在于,所述热释放柱位于所述支撑膜中,所述热释放柱的端面与所述支撑膜的表面共面。
5.如权利要求4所述的元件剥离装置,其特征在于,所述热释放柱端面的面积小于或等于所述元件的面积。
6.如权利要求1所述的元件剥离装置,其特征在于,所述热释放胶带的厚度小于相邻两所述元件的间距。
7.如权利要求1至6任意一项所述的元件剥离装置,其特征在于,所述元件剥离装置还包括弹性转印体,所述弹性转印体与所述基座相对设置,所述弹性转印体用于覆盖在所述元件上并转印所述元件。
8.如权利要求7所述的元件剥离装置,其特征在于,所述弹性转印体设有至少一个凸块,所述凸块与所述热释放柱对应设置,所述凸块用于粘附并转印粘附力减小的所述元件。
9.一种元件剥离方法,其特征在于,所述元件剥离方法利用权利要求1至8任意一项所述的元件剥离装置,所述元件剥离方法包括:
将粘附有多个所述元件的所述热释放胶带放置在所述基座的所述热释放柱上;
将所述弹性转印体粘附在所述元件上;
对所述热释放柱加热,使所述热释放胶带对与所述热释放柱位置对应的所述元件的粘附力减小;
剥离所述弹性转印体,使粘附力减小的所述元件转印在所述弹性转印体上。
10.如权利要求9所述的元件剥离方法,其特征在于,将多个所述元件粘附在所述热释放胶带上的方法包括:
将所述热释放胶带粘附在晶圆上,所述晶圆包括蓝宝石基板和连接所述蓝宝石基板上的多个所述元件;
利用激光照射所述晶圆,使多个所述元件脱离所述蓝宝石基板;
剥离所述热释放胶带,使多个所述元件粘附在所述热释放胶带上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江清华柔性电子技术研究院,未经浙江清华柔性电子技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110251391.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造