[发明专利]一种3D NAND存储器件的制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；所述衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层，所述堆叠层中形成有沟道孔，所述沟道孔侧壁上形成有氮化硅层；

在第一温度下对所述氮化硅层进行第一氧化工艺，以形成第一氧化膜；

在第二温度下对所述氮化硅层进行第二氧化工艺，以形成第二氧化膜，所述第二温度高于所述第一温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度的范围为600-650℃，所述第二温度范围为700-800℃。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一氧化工艺包括多个第一子氧化工艺，所述多个第一子氧化工艺对应多个第一温度，所述在第一温度下对所述氮化硅层进行第一氧化工艺，包括：

依次在多个第一温度下对所述氮化硅层进行多个第一子氧化工艺；

和/或，

所述第二氧化工艺包括多个第二子氧化工艺，所述多个第二子氧化工艺对应多个第二温度，所述在第二温度下对所述氮化硅层进行第二氧化工艺，包括：

依次在多个第二温度下对所述氮化硅层进行多个第二子氧化工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进行所述第一氧化工艺的所述第一温度包括610℃，进行所述第二氧化工艺的所述第二温度包括730℃和800℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化膜的厚度范围为40-50埃，所述第二氧化膜的厚度范围为30-40埃。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氮化硅材料，所述绝缘层的材料为氧化硅材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层与所述绝缘层的侧壁接触，且与所述牺牲层的侧壁接触。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二氧化工艺中还对部分所述牺牲层进行氧化，则所述第二氧化膜包括对所述氮化硅层进行氧化得到的第一部分膜层，以及对所述牺牲层进行氧化得到的第二部分膜层，以及所述绝缘层中位于第二部分膜层上方和下方的第三部分膜层。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层与所述绝缘层和所述牺牲层的侧壁之间形成有隔离层和电荷存储层，所述隔离层与所述绝缘层的侧壁接触，且与所述牺牲层的侧壁接触；所述隔离层的材料为氧化硅材料，所述电荷存储层的材料为氮化硅材料。

10.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层利用原子层沉积方式形成在所述沟道孔中。