[发明专利]一种TFT电路基板生产工艺在审
申请号: | 202110256108.7 | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN113056093A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 王鹤杰;王鹤尧 | 申请(专利权)人: | 深圳市昱安旭瓷电子科技有限公司 |
主分类号: | H05K1/03 | 分类号: | H05K1/03;H05K3/00;H05K3/18 |
代理公司: | 深圳市新虹光知识产权代理事务所(普通合伙) 44499 | 代理人: | 刘菊美 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区沙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tft 路基 生产工艺 | ||
本发明涉及电路基板生产的技术领域,公开了一种TFT电路基板生产工艺,包括以下步骤:选取基材,基材为玻璃或者陶瓷制成;对基材进行表面处理,通过真空溅射的方法在基材的表面溅射一层过渡金属薄层;在过渡金属薄层的表面贴设高分辨率的曝光干膜,通过曝光机在基材上曝光出阴文线路图形;通过脉冲电镀在基材上电镀出电路图形,去掉曝光干膜、去除真空溅射形成的过渡金属薄层,对基材上的电路表面进行沉金或其他保护处理;将基材激光切割出需要的尺寸得到成品;通过选用尺寸稳定性好的玻璃或陶瓷材料制成的基材,同时采用真空溅射的方法制作电路图形,图形精度高,使用玻璃或陶瓷作为基材,可有效散发产品长期工作产生的热量,延长产品使用寿命。
技术领域
本发明涉及电路基板生产的技术领域,尤其是一种TFT电路基板生产工艺。
背景技术
目前,随着电子产品的精细化发展,要求电子产品的体积越来越小,近一年来,Micro LED技术的发展,将LED背光源进行薄膜化、微小化、阵列化,要求LED单元50~100微米,与OLED一样能够实现每个像素单独定制,单独驱动发光。它既继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点,又具有自发光无需背光源的特性,体积小、轻薄,还能轻易实现节能的效果。这就使得对TFT板的精度要求大大提高,在指甲盖大小的TFT电路基板上需要焊接300~500个(甚至更多的)LED微小晶粒。
对于如此精细的TFT基板,如果用传统的FR-4、铝基板等生产的话,一是由于基材的热膨胀系数比较大,尺寸稳定性不好,另一方面,用传统的减成法工艺制造如此精细线路难度也比较大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT电路基板生产工艺,旨在解决现有技术中生产的TFT电路基板精度低的问题。
本发明是这样实现的,一种TFT电路基板生产工艺,包括以下步骤:
选取基材,所述基材为玻璃或者陶瓷制成;
对所述基材进行表面处理,通过真空溅射的方法在所述基材的表面溅射一层过渡金属薄层;
在所述过渡金属薄层的表面贴设高分辨率的曝光干膜,通过曝光机在基材上曝光出阴文线路图形;
通过脉冲电镀在基材上电镀出电路图形,去掉曝光干膜、去除真空溅射形成的过渡金属薄层,对基材上的电路表面进行沉金或其他保护处理;
将基材激光切割出需要的尺寸得到成品。
与现有技术相比,本发明提供的一种TFT电路基板生产工艺,选用尺寸稳定性好的玻璃或陶瓷材料制成的基材,同时采用真空溅射的方法制作电路图形,图形精度高,使用玻璃或陶瓷作为基材,可以有效散发产品长期工作产生的热量,延长产品使用寿命。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
一种TFT电路基板生产工艺,包括以下步骤:
选取基材,所述基材为玻璃或者陶瓷制成;
对所述基材进行表面处理,通过真空溅射的方法在所述基材的表面溅射一层过渡金属薄层;
在所述过渡金属薄层的表面贴设高分辨率的曝光干膜,通过曝光机在基材上曝光出阴文线路图形;
通过脉冲电镀在基材上电镀出电路图形,去掉曝光干膜、去除真空溅射形成的过渡金属薄层,对基材上的电路表面进行沉金或其他保护处理;
将基材激光切割出需要的尺寸得到成品。
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