[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

半导体基板；

导电体，该导电体包含钨(W)或钼(Mo)；

第一膜，该第一膜设置于所述导电体与所述半导体基板之间，包含钛(Ti)及硅(Si)；

绝缘层，该绝缘层包围所述导电体；和

第二膜，该第二膜设置于所述导电体与所述绝缘层之间，包围所述导电体，包含钛(Ti)及氮(N)，

其中，所述半导体基板与所述第二膜的和所述半导体基板相反侧的端部之间的第一距离小于所述半导体基板与所述导电体的和所述半导体基板相反侧的端部之间的第二距离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电体与所述第一膜相接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电体与所述绝缘层相接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二膜与所述半导体基板分离。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二膜包含硅(Si)。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体基板为硅基板。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二距离相对于所述导电体的与所述半导体基板的表面平行的方向的宽度之比为5以上。

8.一种半导体存储装置，其具备：

半导体基板；

导电体，该导电体包含钨(W)或钼(Mo)；

第一膜，该第一膜设置于所述导电体与所述半导体基板之间，包含钛(Ti)及硅(Si)；

绝缘层，该绝缘层包围所述导电体；

第二膜，该第二膜设置于所述导电体与所述绝缘层之间，包围所述导电体，包含钛(Ti)及氮(N)；

第一金属布线，该第一金属布线与所述导电体相接；

第二金属布线；和

存储单元阵列，该存储单元阵列位于所述半导体基板与所述第二金属布线之间，

其中，所述半导体基板与所述第二膜的和所述半导体基板相反侧的端部之间的第一距离小于所述半导体基板与所述导电体的和所述半导体基板相反侧的端部之间的第二距离，

所述半导体基板与所述第二金属布线之间的第三距离大于所述半导体基板与所述第一金属布线之间的第四距离。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述导电体位于所述半导体基板与所述存储单元阵列之间。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述导电体与所述第一膜相接。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述导电体与所述绝缘层相接。

12.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述第二膜与所述半导体基板分离。

13.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述第二膜包含硅(Si)。

14.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述半导体基板为硅基板。