[发明专利]接近检测电路、电子设备、接近检测处理方法及装置

权利要求书

1.一种接近检测电路，其特征在于，包括：

接近检测传感器，所述接近检测传感器包括至少两个检测端口，每个检测端口对应连接一个检测通道；

其中，每个检测通道包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的源漏极连接在所述检测端口与金属检测端之间；所述第二MOS管的源漏极连接在所述检测通道与地之间。

2.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述每个检测通道还包括：

第一二极管和第二二极管；

其中，所述第一MOS管的漏极与所述第一二极管的正极连接，所述第一MOS管的源极与所述第一二极管的负极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二二极管的正极连接，所述第二MOS管的源极与所述第二二极管的负极连接。

3.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述检测通道中的任意两个检测通道之间设置有第三MOS管。

4.根据权利要求1所述的接近检测电路，其特征在于，所述每个检测通道还包括：

第一电阻、走线、电感、电容、弹片、检测元件、第二电阻和第三电阻；

其中，所述第一电阻的第一端与所述接近检测传感器的端口连接，所述第一电阻的第二端通过所述走线与所述电感的第一端连接，所述电感的第二端分别连接所述电容的第一端和所述第一MOS管的漏极连接，所述电容的第二端接地，所述第一MOS管的栅极通过所述第二电阻接电源端，所述第一MOS管的源极分别连接所述第二MOS管的漏极、所述弹片的第一端以及所述第三电阻的第一端，所述弹片的第二端与所述检测元件连接，所述第三电阻的第二端接地。

5.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至4中任一项所述的接近检测电路。

6.一种接近检测处理方法，应用于如权利要求5所述的电子设备，其特征在于，包括：

在接近检测传感器启用的情况下，确定所述电子设备当前的工作状态；

根据不同工作状态与目标参数的补偿策略间的对应关系，确定目标补偿策略；

根据所述目标补偿策略，对目标参数补偿后进行接近检测。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述工作状态包括：

第一状态，处于所述第一状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率小于或等于第一阈值，或者处于所述第一状态的电子设备的功耗小于或等于第二阈值；

第二状态，处于所述第二状态的电子设备的接近检测电路中第三电阻的温变率大于第一阈值。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一状态对应的补偿策略为：

在所述接近检测传感器上报临近度的情况下，确定发生接近检测误报事件时，对所述目标参数进行补偿。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述接近检测误报事件为采集到的所述目标参数的值大于第三阈值或内部饱和；

其中，所述目标参数的值是通过控制所述接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集的。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二状态对应的补偿策略为：

控制所述接近检测电路的第一MOS管断开以及第二MOS管接通，实时采集所述目标参数的值对所述目标参数进行补偿。

11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

在启用所述接近检测传感器之前，对所述接近检测电路中的检测通道进行失效检测，并进行对应处理。