[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

水平地保持基片的背面中的与中央部不重叠的区域的第一保持部；

水平地保持所述基片的背面中的中央部，并且使所述基片绕铅直轴旋转的第二保持部；

为了在所述基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；

相对移动机构，其用于使所述基片与所述滑动部件的相对位置在水平方向上移动，使得当所述基片被所述第一保持部保持时所述滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动，当所述基片被所述第二保持部保持时所述滑动部件在进行旋转的所述基片的背面的周缘部滑动，当所述滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动时的所述基片的位置，与当所述滑动部件在所述基片的背面的周缘部滑动时的所述基片的位置是不同的；

背面清洗喷嘴，其设置于能够在所述滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动时向所述中央部朝向斜上方地供给清洗液，并且在所述滑动部件在所述基片的背面的周缘部滑动时向所述基片的背面的中央部的外侧区域朝向斜上方地供给清洗液的位置；和

周缘部清洗喷嘴，其相对于所述背面清洗喷嘴独立地设置，向所述基片的背面的周缘部朝向斜上方地供给清洗液。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

设置有高度限制部，其在所述基片被所述第二保持部保持时，通过在所述高度限制部与所述基片的周缘部之间产生间隙的非接触的状态下使该间隙中产生吸引压力，来限制该基片的周缘部的高度。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述高度限制部与所述基片的周缘部之间的间隙中产生吸引压力，是通过从所述高度限制部向所述基片的周缘部供给流体来进行的。

4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

还包括公转机构，其使自转中的所述滑动部件绕与所述自转的旋转轴不同的铅直的公转轴进行公转。

5.如权利要求2或3所述的基片处理装置，其特征在于：

设置有控制部，其输出控制信号，以取得关于所述基片翘曲的信息，并根据所取得的关于翘曲的信息来调节所述高度限制部的吸引压力或者向所述基片供给的流体的流量。

6.如权利要求4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

当所述基片被所述第一保持部保持时，所述滑动部件的公转以所述公转轴与该基片的中心重叠的方式进行。

7.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述滑动部件包括用于对所述基片的背面进行研磨来将其粗化的研磨部件。

8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：

绕铅直轴进行自转的清洗部件，所述清洗部件用于擦刷被所述研磨部件粗化了的区域来进行清洗；和

使自转中的所述清洗部件绕铅直的公转轴进行公转的清洗部用公转机构，

当所述基片被所述第一保持部保持时，所述清洗部件擦刷所述基片的中央部，当所述基片被所述第二保持部保持时，所述清洗部件对旋转的所述基片的周缘部进行擦刷。

9.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

设置有按压机构，当所述滑动部件在所述基片上滑动时为了抑制所述基片的变形而从所述基片的正面侧向背面侧按压该基片。

10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：

所述按压机构具有：

按压部件，其具有用于隔着所述基片与所述滑动部件相对地按压该基片的按压面；和

横向移动机构，所述横向移动机构用于当所述滑动部件的公转轨道在所述基片的中心部侧与周缘部侧之间移动时，使所述按压部件在所述基片的中心部侧与周缘部侧之间移动，来维持所述滑动部件与所述按压部件隔着所述基片相对的状态。