[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质

说明书

本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；和公转机构，其使自转中的该滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式公转。基片被保持于第一保持部时，滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动，上述第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域。基片被保持于第二保持部时，滑动部件在旋转的基片的背面的周缘部滑动，上述第二保持部水平地保持基片的背面的中央部并使之绕铅直轴旋转。

本申请是申请日为2017年11月29日、申请号为201711229358.1、发明名称为“基片处理装置、基片处理方法和存储介质”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及滑动部件在基片的背面滑动地来进行处理的技术。

背景技术

半导体装置具有多层配线结构。为了形成该多层配线结构，在半导体装置的制造过程中，对作为基片的半导体晶片(以下，记载为晶片)进行多次形成抗蚀剂图案的光刻步骤，上述抗蚀剂图案是用于形成配线的掩模图案。在各光刻步骤中，以在晶片的相同区域进行拍摄的方式实施曝光处理。由于上述的半导体装置的配线图案的细微化的发展，要求提高在先的光刻步骤中被进行拍摄的区域与在后的光刻步骤中被进行拍摄的区域的对位的精度，即提高重叠(重合)的精度。

然而，在对晶片进行曝光处理时，将该晶片载置在设置于曝光机的台来进行曝光拍摄。在该台上，晶片被向该台的表面吸引，从而其位置被固定。但是有时输送到曝光机的晶片不是平坦的，而是产生了形变的。将这样的晶片载置在台上时，有时以保持着形变的状态被吸附于该台来进行曝光拍摄。此时，成为在从原本的要进行拍摄的区域偏离了的区域进行拍摄。因此，对于提高上述的重叠的精度存在限制。

在专利文献1中记载了如下技术：为了消除由于晶片的形变导致的载置状态的不良状况，对晶片的背面进行研磨的粗化处理，提高晶片的背面相对于曝光机的台的滑动性。关于进行该粗化处理的研磨装置，在对晶片的背面的中央部进行处理时，通过保持部保持晶片的周缘部并且使自转的研磨部件水平移动。并且，在对晶片的背面的周缘部进行处理时，通过旋转卡盘保持晶片的中心部，并且一边使晶片旋转一边使进行自转的研磨部件在横向上移动。另外，在专利文献2中对研磨装置进行了记载，该研磨装置使研磨部件自转并且公转，该研磨部件的公转以具有相比晶片的半径大小较大的公转半径的方式进行。在该研磨装置中，在对晶片的背面的中央部进行处理时，一边使研磨部件进行自转和公转，一边通过保持部保持晶片的周缘部，并且使晶片水平移动。并且，在对晶片的背面的周缘部进行处理时，一边使研磨部件进行自转和公转，一边通过保持晶片的中心部的旋转卡盘来使晶片旋转。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-181145号公报

专利文献2：日本特许5904169号

发明内容

发明要解决的课题

为了将晶片平坦地载置在曝光机的台，在晶片的背面进行研磨使得在面内的各部同样地形成微小的突起，能够提高相对该台的晶片的各部的滑动性。关于专利文献1、2的装置，研磨部件相对晶片的移动模式在研磨部件位于晶片的中央部时与位于晶片的周缘部时是不同的，因此槽的形状在面内的各部不同。另外，关于晶片的中央部，专利文献1的装置仅通过研磨部件的自转进行研磨，专利文献2的装置由于研磨部件的公转半径比较大，因此很难充分地形成微小的突起。因此，正在谋求一种装置，该装置能够在晶片的背面进行研磨以使其形成均匀性更高、更微小的突起。

本发明根据如上情况而完成，其目的在于提供如下技术，即：关于滑动部件在基片的背面滑动地进行的处理，能够在面内均匀性高地进行处理，并且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。