[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

放置衬底于反应腔室内，所述衬底内具有第一导电结构，所述衬底表面覆盖有隔离层，所述隔离层表面覆盖有第一掩膜层，所述第一掩膜层中具有暴露所述隔离层的刻蚀窗口；

在预设刻蚀参数下沿所述刻蚀窗口刻蚀所述隔离层、部分所述衬底和部分所述第一导电结构，形成暴露所述第一导电结构的沟槽，所述预设刻蚀参数使得所述沟槽底部中心的刻蚀速率大于所述沟槽底部边缘的刻蚀速率，形成的所述沟槽的底部朝向所述衬底凹陷，调整刻蚀气体中辅助气体的流量，能够减少刻蚀过程中副产物的沉积率，从而减少所述沟槽侧壁副产物的沉积，使得所述沟槽底部边缘的刻蚀速率下降，实现对微负载效应的改善，所述辅助气体用于去除刻蚀反应中的副产物；

形成覆盖所述沟槽内壁的阻挡层；

形成填充满所述沟槽并覆盖于所述阻挡层表面的第二导电结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在预设刻蚀参数下沿所述刻蚀窗口刻蚀所述隔离层、部分所述衬底和部分所述第一导电结构的具体步骤包括：

在辅助气体以预设流量传输至所述反应腔室的条件下，沿所述刻蚀窗口刻蚀所述隔离层、部分所述衬底和部分所述第一导电结构，使得所述沟槽底部中心的刻蚀速率大于所述沟槽底部边缘的刻蚀速率。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化物材料，所述辅助气体为氧气。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述辅助气体的流量为12sccm~20sccm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体为含碳元素和氟元素的气体。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沟槽的宽度大于或者等于80nm。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底内具有多个第一导电结构；形成暴露所述第一导电结构的沟槽的具体步骤还包括：

形成与多个第一导电结构一一对应的多个所述沟槽，且相邻所述沟槽之间的距离小于或者等于100nm~150nm。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述沟槽内壁的阻挡层的具体步骤包括：

沉积阻挡材料于所述沟槽的内壁，形成覆盖所述沟槽整个内壁的阻挡层。

9.一种半导体结构，采用如权利要求1-8中任一项所述的半导体结构的形成方法形成，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内具有第一导电结构；

隔离层，覆盖于所述衬底表面；

沟槽，贯穿所述隔离层并延伸至所述衬底内部，所述沟槽底部暴露所述第一导电结构，所述沟槽的底部朝向所述衬底凹陷；

阻挡层，覆盖所述沟槽的内壁；

第二导电结构，填充满所述沟槽并覆盖于所述阻挡层表面。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层覆盖所述沟槽的整个内壁。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为钽；

所述第二导电结构的材料为铜。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽的宽度大于或者等于80nm。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内具有多个第一导电结构；

多个所述沟槽与多个所述第一导电结构一一对应，且相邻所述沟槽之间的距离小于或者等于100nm~150nm。