[发明专利]基片输送方法和基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理装置中的基片输送方法，其特征在于：

所述基片处理装置包括：

处理容器，其具有：送入送出作为处理对象的基片的第1开口；第1气体供给部，其具有设置有多个贯通孔的喷淋板，在内部设置有气体扩散室；和第1排气系统；

具有送入送出所述基片的第2开口、第2气体供给部和第2排气系统的真空容器；和

开闭装置，其设置在所述处理容器与所述真空容器之间，具有将所述第1开口与所述第2开口连通或阻隔的遮挡体，

所述基片输送方法包括：

使允许所述开闭装置开放的压力为开放压力，由所述开闭装置进行了阻隔的状态下，从所述第1气体供给部对所述处理容器的内部供给处理气体，对配置于所述处理容器的内部的所述基片实施处理的工序；

停止所述处理气体的供给，在所述处理容器的内部，一边从所述第1气体供给部以第1气体流量供给第1吹扫气体一边用所述第1排气系统将所述第1吹扫气体排出，将所述处理容器的内部的第1压力调节为所述开放压力的工序；

在所述真空容器的内部，一边从所述第2气体供给部以第2气体流量供给第2吹扫气体一边用所述第2排气系统将所述第2吹扫气体排出，将所述开闭装置的内部的、所述遮挡体的所述真空容器侧的第2压力和所述真空容器的内部的第3压力的任一者或者两者调节为所述开放压力的工序；

在所述第1压力变得与所述第2压力或者所述第3压力相等时，将所述第2气体流量改变为比所述第1气体流量大的第3气体流量，并且将所述第2排气系统阻隔，将所述开闭装置开放的工序；以及

将所述基片经由所述第1开口和所述第2开口从所述处理容器移送到所述真空容器的工序。

2.如权利要求1所述的基片输送方法，其特征在于：

所述第1压力由设置于所述处理容器的第1压力计测量，

所述第2压力由设置于所述开闭装置的第2压力计测量，

所述第3压力由设置于所述真空容器的第3压力计测量。

3.如权利要求2所述的基片输送方法，其特征在于：

所述第2压力在作为由所述遮挡体的阀体和收纳该阀体的壳体构成的闸门的所述开闭装置中，由安装于所述壳体的所述第2压力计测量。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片输送方法，其特征在于：

在所述将开闭装置开放的工序中，在所述第1压力与所述第2压力变得相等时，将所述第2气体流量改变为比所述第1气体流量大的第3气体流量，并且将所述第2排气系统阻隔，将所述开闭装置开放。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基片输送方法，其特征在于：

所述开闭装置刚开放后的所述第1压力、所述第2压力和所述第3压力的压力梯度为，所述第3压力比所述第2压力大，所述第2压力比所述第1压力大。

6.如权利要求5所述的基片输送方法，其特征在于：

所述第1压力与所述第3压力的压力差为5mTorr以内。

7.如权利要求1～6中任一项所述的基片输送方法，其特征在于：

所述真空容器是具有输送所述基片的输送装置的输送室。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基片输送方法，其特征在于：

所述气体扩散室的内部的压力是比所述第1压力高的压力。

9.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

处理容器，其具有：送入送出作为处理对象的基片的第1开口；第1气体供给部，其具有设置有多个贯通孔的喷淋板，在内部设置有气体扩散室；和第1排气系统；

具有送入送出所述基片的第2开口、第2气体供给部和第2排气系统的真空容器；

开闭装置，其设置在所述处理容器与所述真空容器之间，具有将所述第1开口与所述第2开口连通或者阻隔的遮挡体；和

控制部，该控制部执行以下工序：

使允许所述开闭装置开放的压力为开放压力，由所述开闭装置进行了阻隔的状态下，从所述第1气体供给部对所述处理容器的内部供给处理气体，对配置于所述处理容器的内部的所述基片实施处理的工序；

停止所述处理气体的供给，在所述处理容器的内部，一边从所述第1气体供给部以第1气体流量供给第1吹扫气体一边用所述第1排气系统将所述第1吹扫气体排出，将所述处理容器的内部的第1压力调节为所述开放压力的工序；

在所述真空容器的内部，一边从所述第2气体供给部以第2气体流量供给第2吹扫气体一边用所述第2排气系统将所述第2吹扫气体排出，将所述开闭装置的内部的、所述遮挡体的所述真空容器侧的第2压力和所述真空容器的内部的第3压力的任一者或者两者调节为所述开放压力的工序；

在所述第1压力变得与所述第2压力或者所述第3压力相等时，将所述第2气体流量改变为比所述第1气体流量大的第3气体流量，并且将所述第2排气系统阻隔，将所述开闭装置开放的工序；以及

将所述基片经由所述第1开口和所述第2开口从所述处理容器移送到所述真空容器的工序。