[发明专利]基片输送方法和基片处理装置

说明书

本发明能在闸门开放时抑制颗粒的飞扬并能抑制残留气体向气体扩散室的侵入。基片处理方法包括：在由开闭装置进行了阻隔的状态下，从第1气体供给部供给处理气体对基片实施处理的工序；一边从第1气体供给部以第1气体流量供给第1吹扫气体一边排气，将处理容器调节为开放压力的工序；一边对真空容器从第2气体供给部以第2气体流量供给第2吹扫气体一边用第2排气系统排气，将开闭装置的真空容器侧和真空容器的任一者或两者调节为开放压力的工序；在第1压力与第2压力或第3压力变得相等时，将第2气体流量改变为比第1气体流量大的第3气体流量并将第2排气系统阻隔，将开闭装置开放的工序；和将基片从处理容器移送到真空容器的工序。

技术领域

本发明涉及基片输送方法和基片处理装置。

背景技术

在基片处理装置中，在对基片进行处理的处理室与对处理室输送基片的输送室之间，在保持为减压气氛的状态下进行基片的送入送出时，使设置在处理室与输送室之间的闸门开放。此时，为了防止颗粒从处理室侵入到输送室，提出了使输送室侧为正压后将闸门开放的方案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-96089号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供基片输送方法和基片处理装置，在闸门开放时能够抑制从处理室去往输送室的腐蚀性气体、反应生成物等污染物质的扩散并抑制处理室内的颗粒的飞扬，并且能够抑制残留气体向气体扩散室的侵入。

用于解决技术问题的技术手段

本发明的一个方式的基片输送方法是基片处理装置中的基片输送方法，基片处理装置包括：处理容器，其具有：送入送出作为处理对象的基片的第1开口；第1气体供给部，其具有设置有多个贯通孔的喷淋板，在内部设置有气体扩散室；和第1排气系统；具有送入送出基片的第2开口、第2气体供给部和第2排气系统的真空容器；和开闭装置，其设置在处理容器与真空容器之间，具有将第1开口与第2开口连通或者阻隔的遮挡体，基片输送方法包括：使允许开闭装置开放的压力为开放压力，由开闭装置进行了阻隔的状态下，从第1气体供给部对处理容器的内部供给处理气体，对配置于处理容器的内部的基片实施处理的工序；停止处理气体的供给，在处理容器的内部，一边从第1气体供给部以第1气体流量供给第1吹扫气体一边用第1排气系统将第1吹扫气体排出，将处理容器的内部的第1压力调节为开放压力的工序；在真空容器的内部，一边从第2气体供给部以第2气体流量供给第2吹扫气体一边用第2排气系统将第2吹扫气体排出，将开闭装置的内部的、遮挡体的真空容器侧的第2压力和真空容器的内部的第3压力的任一者或者两者调节为开放压力的工序；在第1压力变得与第2压力或者第3压力相等时，将第2气体流量改变为比第1气体流量大的第3气体流量，并且将第2排气系统阻隔，将开闭装置开放的工序；以及将基片经由第1开口和第2开口从处理容器移送到真空容器的工序。

发明效果

根据本发明，在闸门开放时能够抑制从处理室去往输送室的腐蚀性气体、反应生成物等污染物质的扩散并抑制处理室内的颗粒的飞扬，并且能够抑制残留气体向气体扩散室的侵入。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式中的基片处理装置的一例的图。

图2是表示本实施方式中的基片处理装置的截面的一例的图。

图3是表示本实施方式中的关闭闸门状态下的处理腔室和输送腔室中的吹扫气体的流动的一例的图。

图4是表示图3的状态下的吹扫气体的流量的一例的图。

图5是表示图3的状态下的各空间的压力的一例的图。

图6是表示本实施方式中的开放闸门的状态下的处理腔室和输送腔室中的吹扫气体的流动的一例的图。