[发明专利]边缘环及其更换方法、基片支承台和等离子体处理系统

权利要求书

1.一种基片支承台，其特征在于，具有：

载置基片的基片载置面；

载置边缘环的环载置面，其中所述边缘环以包围被载置于所述基片载置面的基片的方式配置；和

用于将所述边缘环通过静电力来吸附并保持于所述环载置面的电极，

所述边缘环在与所述环载置面相对的面粘贴有传热片，且经由该传热片载置于所述环载置面，

所述传热片在与所述环载置面相对的面形成有导电膜，

所述边缘环通过借助由所述电极形成的静电力来吸附被粘贴于该边缘环的所述传热片的所述导电膜，而被保持于所述环载置面。

2.如权利要求1所述的基片支承台，其特征在于：

在所述环载置面没有形成供给传热气体的气体供给孔。

3.如权利要求1或2所述的基片支承台，其特征在于：

所述边缘环在与所述环载置面相对的面具有凹部，

所述传热片粘贴于所述凹部。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承台，其特征在于：

所述边缘环由石英形成。

5.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承台，其特征在于：

所述边缘环由Si或者SiC形成。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基片支承台，其特征在于：

所述导电膜由Al形成。

7.如权利要求1～6中任一项所述的基片支承台，其特征在于：

所述导电膜的厚度为10μm以下。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基片支承台，其特征在于：

具有使所述边缘环升降的升降部件。

9.如权利要求8所述的基片支承台，其特征在于：

所述升降部件在下方具有在上下方向上延伸的柱状部，并且与所述边缘环抵接的抵接面的面积比所述柱状部的截面积大。

10.如权利要求8所述的基片支承台，其特征在于：

所述边缘环在与所述环载置面相对的面中的与所述升降部件抵接的部分，没有形成所述传热片和所述导电膜。

11.一种等离子体处理系统，其特征在于，包括：

等离子体处理装置，其具有：权利要求8～10中任一项所述的基片支承台；构成为内部能够设置所述基片支承台且可减压的处理容器；对所述电极施加电压的电压施加部；和使所述升降部件的升降机构，所述等离子体处理装置对所述基片支承台上的基片进行等离子体处理；

输送装置，其具有支承所述边缘环的支承部，使所述支承部向所述处理容器插入或抽出来对所述处理容器送入或送出所述边缘环；和

控制所述电压施加部、所述升降机构和所述输送装置的控制装置，

所述控制装置控制所述电压施加部、所述升降机构和所述输送装置，以执行：

将支承于所述支承部的所述边缘环输送到所述基片支承台上的步骤；

使所述升降部件上升，从所述支承部向所述升降部件交接所述边缘环的步骤；

在所述支承部避让后，使所述升降部件下降，将所述边缘环经由被粘贴于所述边缘环的所述传热片载置于所述环载置面的步骤；和

对所述电极施加电压，利用由此产生的静电力，吸附被粘贴于所述边缘环的所述传热片的所述导电膜，将所述边缘环保持于所述环载置面的步骤。