[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

衬底；

隔离结构，位于所述衬底上方；

半导体鳍，自所述衬底延伸并且邻近所述隔离结构；

两个源极/漏极(S/D)部件，位于所述半导体鳍上方；

沟道层的堆叠件，悬在所述半导体鳍上方并且连接所述S/D部件；

栅极结构，环绕所述沟道层的堆叠件中的每个所述沟道层；

两个外部间隔件，设置在所述栅极结构的两个相对侧壁上；

内部间隔件，设置在所述S/D部件和所述沟道层之间；以及

栅极端介电部件，位于所述隔离结构上方，并且直接连接所述栅极结构的端，其中，所述栅极端介电部件中所包含材料的介电常数高于所述外部间隔件和所述内部间隔件中所包含材料的介电常数。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述内部间隔件中所包含材料的介电常数高于所述外部间隔件中所包含材料的介电常数。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述两个外部间隔件的部分还设置在所述栅极端介电部件的下方及所述隔离结构的上方。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括设置在所述隔离结构上方并且与所述半导体鳍纵向平行取向的介电鳍，其中，所述介电鳍直接接触所述栅极结构的所述端的下部，所述栅极端介电部件设置在所述介电鳍上方并直接接触所述栅极结构的所述端的上部。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极端介电部件包括高k介电材料。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括设置在所述栅极结构上方的栅极顶介电层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极结构是第一高k金属栅极结构，还包括与所述第一高k金属栅极结构纵向对准的第二高k金属栅极结构，其中，所述栅极端介电部件设置为与所述第二高k金属栅极结构的端接触。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极结构是高k金属栅极结构，还包括与所述高k金属栅极结构纵向对准的介电栅极结构，其中，所述栅极端介电部件设置为与所述介电栅极结构的端接触。

9.一种半导体结构，包括：

衬底；

隔离结构，位于所述衬底上方；

半导体鳍，自所述衬底延伸并且邻近所述隔离结构；

第一介电鳍和第二介电鳍，设置在所述隔离结构上方，并且与所述半导体鳍的纵向平行取向，其中，所述半导体鳍在所述第一介电鳍和所述第二介电鳍之间；

两个源极/漏极(S/D)部件，生长在所述半导体鳍上；

沟道层的堆叠件，悬在所述半导体鳍上方，并且连接所述两个S/D部件；

栅极结构，环绕所述沟道层的堆叠件中的每个所述沟道层，其中，所述栅极结构还设置在所述第一介电鳍上方；

两个外部间隔件，设置在所述栅极结构的两个相对侧壁上；

内部间隔件，设置在所述S/D部件和所述沟道层之间；以及

栅极端介电部件，设置在所述第二介电鳍上方，并且直接接触所述栅极结构的端，其中，所述栅极端介电部件、所述外部间隔件和所述内部间隔件包括不同材料。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供结构，所述结构具有衬底、位于所述衬底上方的隔离结构、自所述衬底延伸并邻近所述隔离结构的半导体鳍、在所述隔离结构上方并接合所述半导体鳍的沟道区域的伪栅极和位于所述伪栅极的两个相对侧壁上的外部间隔件，其中，所述半导体鳍包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层的堆叠件；

蚀刻邻近所述伪栅极的两个相对侧壁的所述半导体鳍，以形成两个源极/漏极(S/D)沟槽；

自所述S/D沟槽蚀刻所述第二半导体层，以形成垂直地位于所述第一半导体层之间的间隙；

在所述间隙内形成内部间隔件；

在所述S/D沟槽中外延生长S/D部件；

在所述S/D部件、所述伪栅极和所述外部间隔件上方形成层间介电(ILD)层；

蚀刻所述伪栅极和所述外部间隔件，以形成远离所述半导体鳍并位于所述隔离结构上方的栅极端沟槽；并且

形成填充所述栅极端沟槽的栅极端介电部件，其中，所述栅极端介电部件的介电常数高于所述外部间隔件的介电常数和所述内部间隔件的介电常数。