[发明专利]发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置在审
申请号: | 202110265478.7 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN113066933A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 王好伟 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 魏艳新;姜春咸 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制备 方法 显示 显示装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括:空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者掺杂有相变材料;
所述相变材料配置为:在所述发光器件的电流密度达到工作电流密度时,所述相变材料发生相变,且发生相变后的所述相变材料的载流子迁移率大于所述空穴注入层中的空穴注入材料的载流子迁移率和所述空穴传输层中的空穴传输材料的载流子迁移率。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述相变材料包括二氧化钒。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述二氧化钒的粒径在0.5nm至50nm之间。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述空穴注入层包括空穴注入材料和所述相变材料,所述空穴注入层中的相变材料的掺杂浓度在0.01%至10%之间;和/或,
所述空穴传输层包括空穴传输材料和所述相变材料,所述空穴传输层中的相变材料的掺杂浓度在0.01%至10%之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括:第一电极层、发光层、电子传输层和第二电极层;
所述空穴注入层设置在所述第一电极层和所述发光层之间,所述空穴传输层设置在所述空穴注入层与所述发光层之间;
所述电子传输层设置在所述发光层远离所述第一电极层的一侧,所述第二电极层设置在所述电子传输层远离所述发光层的一侧。
6.根据权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述发光层包括量子点层。
7.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者掺杂有相变材料;
所述相变材料配置为:在所述发光器件的电流密度达到工作电流密度时发生相变,且发生相变后的所述相变材料的载流子迁移率大于所述空穴注入层中的空穴注入材料的载流子迁移率和所述空穴传输层中的空穴传输材料的载流子迁移率。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述相变材料包括二氧化钒,
形成所述空穴注入层的步骤包括:
将含有二氧化钒的溶液与所述空穴注入材料混合,所述二氧化钒的质量与所述空穴注入材料的质量之比在0.01%至10%之间;
对混合后的溶液进行涂覆,并对涂覆后的溶液进行固化以得到所述空穴注入层;和/或,
形成所述空穴传输层的步骤包括:
将含有二氧化钒的溶液与所述空穴传输材料混合,所述二氧化钒的质量与所述空穴传输材料的质量之比在0.01%至10%之间;
对混合后的溶液进行涂覆,并对涂覆后的溶液进行固化以得到所述空穴传输层。
9.一种显示基板,其特征在于,包括:权利要求1至6中任一项所述的发光器件。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求9所述的显示基板。
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