[发明专利]发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置在审

专利信息
申请号: 202110265478.7 申请日: 2021-03-11
公开(公告)号: CN113066933A 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 王好伟 申请(专利权)人: 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 魏艳新;姜春咸
地址: 100176 北京市北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 及其 制备 方法 显示 显示装置
【说明书】:

发明提供了一种发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置,其中,发光器件包括:空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者掺杂有相变材料;所述相变材料配置为:在所述发光器件的电流密度达到工作电流密度时,所述相变材料发生相变,且发生相变后的所述相变材料的载流子迁移率大于所述空穴注入层中的空穴注入材料的载流子迁移率和所述空穴传输层中的空穴传输材料的载流子迁移率。本发明可以改善发光器件的发光效率发生滚降的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置。

背景技术

量子点是一种重要的荧光纳米材料,其具有优异的物理化学和光学性质,例如,吸收光谱宽,发射光谱窄,量子产率高,荧光稳定性好等优点,广泛应用于生物成像、生物传感器、发光二极管(LED)和量子点太阳能电池等领域。

但是,传统的量子点发光二极管存在效率滚降的问题,从而导致传统的量子点发光二极管的效率普遍偏低。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置。

为了实现上述目的,本发明提供一种发光器件,包括:空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者掺杂有相变材料;

所述相变材料配置为:在所述发光器件的电流密度达到工作电流密度时,所述相变材料发生相变,且发生相变后的所述相变材料的载流子迁移率大于所述空穴注入层中的空穴注入材料的载流子迁移率和所述空穴传输层中的空穴传输材料的载流子迁移率。

可选地,所述相变材料包括二氧化钒。

可选地,所述二氧化钒的粒径在0.5nm至50nm之间。

可选地,所述空穴注入层包括空穴注入材料和所述相变材料,所述空穴注入层中的相变材料的掺杂浓度在0.01%至10%之间;和/或,

所述空穴传输层包括空穴传输材料和所述相变材料,所述空穴传输层中的相变材料的掺杂浓度在0.01%至10%之间。

可选地,所述发光器件还包括:第一电极层、发光层、电子传输层和第二电极层;

所述空穴注入层设置在所述第一电极层和所述发光层之间,所述空穴传输层设置在所述空穴注入层与所述发光层之间;

所述电子传输层设置在所述发光层远离所述第一电极层的一侧,所述第二电极层设置在所述电子传输层远离所述发光层的一侧。

可选地,所述发光层包括量子点层。

本发明还提供一种发光器件的制备方法,包括:

在基底上形成空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一者掺杂有相变材料;

所述相变材料配置为:在所述发光器件的电流密度达到工作电流密度时发生相变,且发生相变后的所述相变材料的载流子迁移率大于所述空穴注入层中的空穴注入材料的载流子迁移率和所述空穴传输层中的空穴传输材料的载流子迁移率。

可选地,所述相变材料包括二氧化钒,

形成所述空穴注入层的步骤包括:

将含有二氧化钒的溶液与所述空穴注入材料混合,所述二氧化钒的质量与所述空穴注入材料的质量之比在0.01%至10%之间;

对混合后的溶液进行涂覆,并对涂覆后的溶液进行固化以得到所述空穴注入层;和/或,

形成所述空穴传输层的步骤包括:

将含有二氧化钒的溶液与所述空穴传输材料混合,所述二氧化钒的质量与所述空穴传输材料的质量之比在0.01%至10%之间;

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