[发明专利]研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种研磨用组合物，其包含磨粒、添加剂、pH调节剂和分散介质，

所述磨粒的zeta电位为负，

所述添加剂为具有叔氮原子的桥连二环式化合物，

所述添加剂的含量相对于研磨用组合物总质量大于0质量％且小于0.5质量％，

所述研磨用组合物的pH小于5。

2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述添加剂为具有叔氮原子作为成环原子、且碳数6～12的氮杂双环化合物。

3.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述添加剂为下述结构式(1)所示的化合物：

式(1)中，

X分别独立地为氮原子或CH，

Y为-NH-、-NR¹-或-R²-，此时，R¹为取代或非取代的碳数1～3的烷基，R²为取代或非取代的碳数1～3的亚烷基，

n及m分别独立地为0～2的整数，

其中，X之中的至少一个为N，或Y为-NR¹-。

4.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的含量相对于研磨用组合物总质量大于1质量％且为10质量％以下。

5.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒为表面固定化有有机酸的胶体二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒的zeta电位为-45mV以上且-15mV以下。

7.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其用于对包含掺杂有p型杂质的多晶硅的研磨对象物进行研磨的用途。

8.一种研磨方法，其包括使用权利要求1所述的研磨用组合物对研磨对象物进行研磨的工序。

9.一种半导体基板的制造方法，其具有通过权利要求8所述的研磨方法对包含掺杂有p型杂质的多晶硅的半导体基板进行研磨的工序。