[发明专利]一种用于半导体封装粘片的集束顶针系统有效
申请号: | 202110265868.4 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN113113345B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 杜荣 | 申请(专利权)人: | 湖南奥赛瑞智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人: | 张敏 |
地址: | 414100 湖南省岳阳市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 封装 集束 顶针 系统 | ||
本发明公布了一种用于半导体封装粘片的集束顶针系统,它由多个集束顶针单元阵列组成;集束顶针单元包括单元基座,单元基座内设置有密闭的气压空腔;单元基座中心竖直设置有主针,主针内部中空且上下开口,主针顶部套设有主针气囊且与其相通,主针底部开口与气压空腔相通;单元基座中心设置有嵌槽,嵌槽内设置有与嵌槽相匹配的底板;底板中心设置有用于穿过主针的底板通孔;底板上在主针四周呈环绕型均匀间隔竖直设置有多个副针,副针顶部高度低于主针气囊高度且高于主针顶部高度;本发明系统可以实现通过主针与副针配合的形式,同时通过弹性缓冲的主针气囊,降低在粘片时芯片各接触点的过大压力,避免其受到损伤;最后通过气动顶针对芯片四周进行支撑保护和限位定位,进一步提高芯片中心部的粘片稳定性。
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域,具体为一种用于半导体封装粘片的集束顶针系统。
背景技术
在半导体封装生产中,前道工序装片中,粘片机用真空和顶针系统从蓝膜上拾取芯片,常规工艺是小芯片用一根顶针,大芯片用4根顶针。随着芯片制造技术的提高,现在生产的芯片从常规的200-300微米减薄到了50-120微米,这种新工艺的芯片在粘片机拾取的过程中用常规的单针或者4针都会对芯片造成损伤。
同样在粘片机配合原有的顶针系统进行粘片操作时,容易造成一次吸附不到位或粘片时压力过大幅度过大,使得最后粘片时芯片的位置发生偏移,影响后续芯片封装的位置校准,降低了封装的成品率。
发明内容
本发明的目的是针对以上问题,提供一种用于半导体封装粘片的集束顶针系统,它能实现通过主针与副针配合的形式,同时通过弹性缓冲的主针气囊,降低在粘片时芯片各接触点的过大压力,避免其受到损伤;最后通过气动顶针对芯片四周进行支撑保护和限位定位,进一步提高芯片中心部的粘片稳定性。
为实现以上目的,本发明采用的技术方案是:一种用于半导体封装粘片的集束顶针系统,它由多个集束顶针单元阵列组成;所述集束顶针单元包括单元基座,所述单元基座内设置有密闭的气压空腔;所述单元基座中心竖直设置有主针,所述主针内部中空且上下开口,所述主针顶部套设有主针气囊且与其相通,所述主针底部开口与气压空腔相通;所述单元基座中心设置有嵌槽,所述嵌槽内设置有与嵌槽相匹配的底板;所述底板中心设置有用于穿过主针的底板通孔;所述底板上在主针四周呈环绕型均匀间隔竖直设置有多个副针,所述副针顶部高度低于主针气囊高度且高于主针顶部高度。
进一步的,所述单元基座上在嵌槽四周呈环绕型均匀间隔设置有多个滑动通孔,所述滑动通孔与气压空腔相通;所述滑动通孔内紧密配合设置有可上下滑动的气动顶针。
进一步的,所述所述气动顶针内部中空且下部设置有进气口。
进一步的,所述气动顶针底部设置有用于避免脱出的限位挡边,所述气动顶针上下滑动时其顶部最大高度高于主针气囊高度。
进一步的,所述主针中部外侧设置有限位搭边,所述限位搭边上设置有定位板;所述定位板中心设置有用于穿过主针的中心通孔,所述定位板上在中心通孔四周呈环绕型均匀间隔设置有多个定位通孔,所述副针穿过定位通孔非固定式设置在底板上。
进一步的,所述副针为铁磁性材料针体,所述底板为磁铁底板。
进一步的,所述单元基座下方设置有升降驱动机构,所述底板下方设置有压力传感开关;所述压力传感开关连接并控制升降驱动机构。
进一步的,所述副针顶部设置有用于保护缓冲的软垫。
进一步的,所述主针气囊为橡胶气囊。
有益效果:本发明提供了一种用于半导体封装粘片的集束顶针系统,通过主针与副针配合的形式,同时通过弹性缓冲的主针气囊,降低在粘片时芯片各接触点的过大压力,避免其受到损伤;最后通过气动顶针对芯片四周进行支撑保护和限位定位,进一步提高芯片中心部的粘片稳定性:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造