[发明专利]一种单晶多孔Mo2

权利要求书

1.一种单晶多孔Mo₂N纳米带的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将钼粉加入到双氧水溶液中，在温度160～250℃的条件下进行水热反应，得到MoO₃纳米带；

2)将所述MoO₃纳米带在氮气和氨气的流量比为(3～5)：1的条件下进行焙烧，得单晶多孔Mo₂N纳米带。

2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，步骤1)中所述双氧水溶液中双氧水的浓度为0.16～0.23g/ml。

3.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，步骤1)中所述钼粉和双氧水溶液的质量比为1：(30～45)。

4.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，步骤1)中所述水热反应的时间为36～48h。

5.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，步骤2)中，氮气、氨气混合气体流量为20～30mL/min。

6.根据权利要求1或5所述的合成方法，其特征在于，步骤2)中焙烧的温度为500～700℃，和/或，升温速率为1～3℃/min，在目标焙烧温度保持时间为5～8h。

7.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于，水热反应完成后，冷却至室温，然后离心、洗涤、干燥，得到白色的MoO₃纳米带。

8.根据权利要求7所述的合成方法，其特征在于，所述的离心速度为8000～12000r/min，离心时间为5～10min；

和/或，所述洗涤为先用水洗涤2～4次，再用乙醇洗涤2～4次；

和/或，所述干燥为将洗涤后的样品在真空干燥箱中50～70℃保持6～24h干燥。

9.一种单晶多孔Mo₂N纳米带，其特征在于，由权利要求1～8任一项所述方法合成。

10.权利要求9所述的单晶多孔Mo₂N纳米带应用于制备表面增强拉曼光谱检测基底。