[发明专利]一种半导体处理系统

权利要求书

1.一种半导体处理系统，其特征在于，包括：控制器及与所述控制器通信的处理腔室、设备前端模块、位于所述设备前端模块内的第一缓冲腔室及第二缓冲腔室；所述第一缓冲腔室及所述第二缓冲腔室均与所述处理腔室连通；

所述控制器用于控制所述设备前端模块对晶圆进行上下料，控制所述处理腔室对所述晶圆进行处理；

所述控制器还用于在所述晶圆进入所述处理腔室之前，控制所述第一缓冲腔室对所述晶圆进行清洁，在所述晶圆离开所述处理腔室之后，控制所述第二缓冲腔室对所述晶圆进行清洁。

2.根据权利要求1所述的半导体处理系统，其特征在于，所述半导体处理系统还包括真空传输腔室和装载锁定腔室；所述真空传输腔室通过所述装载锁定腔室与所述第一缓冲腔室及所述第二缓冲腔室连接；

所述真空传输腔室用于在真空条件下，将所述晶圆在所述第一缓冲腔室与所述处理腔室之间，或所述第二缓冲腔室与所述处理腔室之间传输；

所述装载锁定腔室，用于平衡所述真空传输腔室与所述第一缓冲腔室，或所述真空传输腔室与所述第二缓冲腔室之间的气体压强。

3.根据权利要求2所述的半导体处理系统，其特征在于，所述第一缓冲腔室内及所述第二缓冲腔室内均具有气体吹扫装置，所述第一缓冲腔室内及所述第二缓冲腔室内均具有用于承载所述晶圆的清洁工位，所述气体吹扫装置用于对所述清洁工位上的所述晶圆进行气体吹扫；和/或，

所述气体吹扫装置采用的气体为氮气或惰性气体。

4.根据权利要求3所述的半导体处理系统，其特征在于，所述半导体处理系统还包括气体发生设备，所述气体吹扫装置的进气端与所述气体发生设备连通。

5.根据权利要求4所述的半导体处理系统，其特征在于，所述气体吹扫装置包括多个与所述控制器通信连接的气体扩散器，所述多个气体扩散器用于对从所述气体发生设备进入所述第一缓冲腔室及所述第二缓冲腔室的气体进行扩散。

6.根据权利要求5所述的半导体处理系统，其特征在于，所述气体吹扫装置还包括与所述控制器通信连接的流量自动调节器，所述流量自动调节器的一端与所述气体发生设备连通，所述流量自动调节器的另一端与所述气体扩散器相连通。

7.根据权利要求6所述的半导体处理系统，其特征在于，所述流量自动调节器的气体流量调节范围为0.1LPM—15LPM。

8.根据权利要求3～6任一项所述的半导体处理系统，其特征在于，所述气体吹扫装置还包括与所述控制器通信连接的节流阀，所述节流阀位于所述气体吹扫装置的出气端。

9.根据权利要求3所述的半导体处理系统，其特征在于，所述气体吹扫装置还包括与所述控制器通信连接的加热组件及温度传感器，所述加热组件位于所述气体吹扫装置的入口端，用于对气体吹扫装置吹出的气体进行加热；

所述温度传感器位于所述气体吹扫装置内，用于获取所述气体吹扫装置内的气体温度。

10.根据权利要求9所述的半导体处理系统，其特征在于，所述加热组件包括：加热件及串联在所述加热件的供电回路上的电压调节器，所述电压调节器与所述控制器通信连接；

所述控制器用于在所述加热件加热的过程中，根据预设温度以及所述温度传感器获取的所述气体吹扫装置内的气体温度，控制所述电压调节器施加在所述加热件上的电压；和/或，

所述加热组件的加热温度范围为20℃—150℃。