[发明专利]一种半导体处理系统

说明书

本发明公开一种半导体处理系统，涉及半导体加工技术领域，用于使处理前的晶圆与处理后的晶圆处在不同的空间，并清除处理前的晶圆及处理后的晶圆的表面的残留气体。该半导体处理系统包括：控制器及与控制器通信的处理腔室、真空传输腔室、设备前端模块、位于设备前端模块内的第一缓冲腔室及第二缓冲腔室。第一缓冲腔室及第二缓冲腔室均与处理腔室连通。控制器用于控制设备前端模块对晶圆进行上下料，控制处理腔室对晶圆进行处理。控制器还用于在晶圆进入处理腔室之前，控制第一缓冲腔室对晶圆进行清洁，在晶圆离开处理腔室之后，控制第二缓冲腔室对晶圆进行清洁。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种半导体处理系统。

背景技术

目前，大多数半导体工艺设备，如刻蚀设备、物理气相沉积设备、化学气相沉积设备等，均需要将晶圆在各腔室之间传递。

在一些工艺过程中，例如在刻蚀过程中，刻蚀设备会采用HBr等对晶圆表面有腐蚀性的反应气体，对晶圆进行等离子体刻蚀。在刻蚀完毕后，此类反应气体会残留在晶圆的表面，当刻蚀后的晶圆与刻蚀前的晶圆放置在同一空间内，会使刻蚀前的晶圆与刻蚀后的晶圆出现交叉污染的情况。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体处理系统，用于使处理前的晶圆与处理后的晶圆处在不同的空间，并清除处理前的晶圆及处理后的晶圆的表面的残留气体。

本发明提供的一种半导体处理系统，包括：控制器及与控制器通信的处理腔室、设备前端模块、位于设备前端模块内的第一缓冲腔室及第二缓冲腔室。第一缓冲腔室及第二缓冲腔室均与处理腔室连通。控制器用于控制设备前端模块对晶圆进行上下料，控制处理腔室对晶圆进行处理。控制器还用于在晶圆进入处理腔室之前，控制第一缓冲腔室对晶圆进行清洁，在晶圆离开处理腔室之后，控制第二缓冲腔室对晶圆进行清洁。

与现有技术相比，本发明提供的半导体处理系统，包括：控制器及与控制器通信的处理腔室、设备前端模块、位于设备前端模块内的第一缓冲腔室及第二缓冲腔室，第一缓冲腔室及第二缓冲腔室均与处理腔室连通。其中，设备前端模块用于对晶圆进行上下料，第一缓冲腔室及第二缓冲腔室均用于对晶圆进行清洁。

在使用该半导体处理系统处理晶圆的过程中，通过设备前端模块对晶圆进行上料后，在晶圆进入处理腔室被处理之前，晶圆进入第一缓冲腔室。第一缓冲腔室对晶圆进行清洁，使进入处理腔室的晶圆的表面没有残留气体，以保证在处理腔室中晶圆没有受到污染。当晶圆在处理腔室内经过工艺处理后，第二缓冲腔室再次对经过工艺处理后的晶圆进行清洁，以清除经过工艺处理后的晶圆表面的残留气体，以使进入下一工艺流程的晶圆处于洁净的状态。

由上述使用过程可知，该半导体处理系统可以将处理前的晶圆与处理后的晶圆均进行清洁，并使处理前的晶圆与处理后的晶圆在空间上进行分离，可以有效地解决处理前的晶圆与处理后的晶圆出现交叉污染的情况。同时，第一缓冲腔室与第二缓冲腔室设在设备前端模块内，简化了附属设备，降低了初期设备费用及后期维修费用。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的半导体处理系统的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的第一缓冲腔室的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。