[发明专利]掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法

权利要求书

1.一种掩模坯，具有成为相移掩模的层，所述掩模坯具有：

相移层，层叠于透明基板；

蚀刻停止层，设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置上；和

遮光层，设置在比所述蚀刻停止层更远离所述透明基板的位置上，

所述相移层含有铬，

所述遮光层含有铬和氧，

所述蚀刻停止层含有硅化钼和氮，并且在膜厚方向上靠近所述遮光层的位置上具有氮浓度达到峰值的峰值区域。

2.根据权利要求1所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层在膜厚方向上靠近所述遮光层的上表面上具有所述峰值区域。

3.根据权利要求1所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的电阻率被设定为1.0×10^-3Ωcm以上。

4.根据权利要求2所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的电阻率被设定为1.0×10^-3Ωcm以上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的氮浓度被设定为30原子％以上。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的硅浓度被设定为35原子％以下。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的钼浓度被设定为30原子％以下。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯，其中，

所述峰值区域的膜厚被设定在所述蚀刻停止层的膜厚的1/3以下的范围。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的除所述峰值区域以外的电阻率被设定为1.0×10^-3Ωcm以下。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的除所述峰值区域以外的氮浓度被设定为25原子％以下。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的除所述峰值区域以外的钼与硅的组成比被设定为1≤Si/Mo。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的掩模坯，其中，

所述蚀刻停止层的膜厚被设定在10nm～100nm的范围。

13.一种掩模坯的制造方法，该制造方法为权利要求1至12中任一项所述的掩模坯的制造方法，具有：

相移层形成工序，在所述透明基板上层叠含有铬的所述相移层；

蚀刻停止层形成工序，在比所述相移层更远离所述透明基板的位置上层叠含有硅化钼和氮的所述蚀刻停止层；和

遮光层形成工序，在比所述蚀刻停止层更远离所述透明基板的位置上层叠含有铬和氧的所述遮光层，

在所述蚀刻停止层形成工序中，通过设定作为溅射中的供给气体的含氮气体的分压而在膜厚方向上控制所述峰值区域中的氮浓度来形成所述蚀刻停止层。

14.根据权利要求13所述的掩模坯的制造方法，其中，

在所述蚀刻停止层形成工序中，通过设定所述含氮气体的分压，从而伴随含氮率的增加来增大所述蚀刻停止层中的片电阻。

15.根据权利要求14所述的掩模坯的制造方法，其中，

在所述蚀刻停止层形成工序中，通过将所述含氮气体的分压比设定在30％以上的范围，来形成所述峰值区域。