[发明专利]掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法

说明书

本发明涉及一种掩模坯、相移掩模、掩模坯的制法及相移掩模的制法。本发明的掩模坯为具有成为相移掩模的层的掩模坯。掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；蚀刻停止层，设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置上；和遮光层，设置在比所述蚀刻停止层更远离所述透明基板的位置上。所述相移层含有铬。所述遮光层含有铬和氧。所述蚀刻停止层含有硅化钼和氮，并且在膜厚方向上靠近所述遮光层的位置上具有氮浓度达到峰值的峰值区域。

技术领域

本发明涉及适合在掩模坯、相移掩模、掩模坯的制造方法及相移掩模的制造方法中使用的技术。

背景技术

近年来，在液晶显示器、有机EL显示器等的平板显示器(flat panel display，FPD)中，正在大幅进行面板的高精细化。随着面板的高精细化，光掩模的微细化也正在发展。因此，不仅提高一直以来采用的使用遮光膜的掩模的必要性，而且提高边缘增强型相移掩模的必要性。

在FPD等中，对线距(LineSpace)及接触孔的图案均要求微细化。需要使用相移掩模来形成微细图案。

例如，对接触孔图案而言，在曝光时要求较大的对比度，有时使用凸缘型相移掩模。通过在石英基板上利用铬化合物来形成相移层，在相移层的上部利用硅化钼化合物来形成蚀刻停止层，并且在蚀刻停止层的上部利用如铬膜那样的金属膜来形成遮光层，从而构造该凸缘型相移掩模。

对在FPD等中使用的大型掩模而言，一般在图案化中使用WET蚀刻。作为在这种WET蚀刻中使用的蚀刻停止膜，已知有由如硅化钼膜那样的硅化物膜形成的蚀刻停止膜(专利文献1)。

专利文献1：国际公开第2013/190786号

在由如硅化钼膜那样的硅化物膜形成蚀刻停止膜的情况下，在硅化钼膜的蚀刻液中含有氟酸。因此，产生在硅化钼膜的WET蚀刻时石英基板被蚀刻且相移掩模的光学特性发生变化的问题。

此外，如果未使用适当的蚀刻停止膜，则在图案化时，在蚀刻停止膜与遮光膜之间的界面处过度进行蚀刻。因此，还明确了具有在蚀刻之后蚀刻停止膜消失且剖面形状变得异常的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，想要实现以下目的。

1、在对于比蚀刻停止层更靠上侧的层的蚀刻中，具有良好的蚀刻停止性。

2、在蚀刻停止层的蚀刻中，抑制对其他部分的影响。

3、抑制静电破坏。

4、提高图案化中的形状的准确性。

5、能够实现掩模制造中的高精细化。

本发明的掩模坯为具有成为相移掩模的层的掩模坯，具有：相移层，层叠于透明基板；蚀刻停止层，设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置上；和遮光层，设置在比所述蚀刻停止层更远离所述透明基板的位置上，所述相移层含有铬，所述遮光层含有铬和氧，所述蚀刻停止层含有硅化钼和氮，并且在膜厚方向上靠近所述遮光层的位置上具有氮浓度达到峰值的峰值区域。由此，解决了上述问题。

在本发明的掩模坯中，所述蚀刻停止层可以在膜厚方向上靠近所述遮光层的上表面上具有所述峰值区域。

在本发明的掩模坯中，所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的电阻率可以被设定为1.0×10^-3Ωcm以上。

在本发明中，优选所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的氮浓度被设定为30原子％以上。

另外，在本发明的掩模坯中，还能够采用所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的硅浓度被设定为35原子％以下的方法。

在本发明的掩模坯中，所述蚀刻停止层的所述峰值区域中的钼浓度可以被设定为30原子％以下。