[发明专利]失效分析样品的制作方法及失效分析样品有效
| 申请号： | 202110269001.6 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113030706B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王娟;杜晓琼 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 失效 分析 样品 制作方法 | ||
1.一种失效分析样品的制作方法，其特征在于，包括：
提供待测管芯；其中，所述待测管芯包括相对设置的正面和背面，所述待测管芯的正面通过第一胶层与第一基板之间粘接；
将所述待测管芯的背面通过第二胶层与第二基板固定连接；其中，所述第二胶层的固化温度小于所述第一胶层的熔化温度，所述第二胶层的熔化温度大于所述第一胶层的熔化温度；
在所述待测管芯的背面粘接有所述第二基板后，分离所述第一基板和所述待测管芯。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供待测管芯，包括：
提供封装芯片；其中，所述封装芯片包括多个堆叠设置的管芯；
对所述封装芯片执行第一检测，并形成第一检测结果；
在所述第一检测结果指示所述封装芯片包括失效区域时，确定所述封装芯片包括所述待测管芯；其中，所述失效区域位于所述待测管芯中。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述待测管芯的背面粘接有所述第二基板后，分离所述第一基板和所述待测管芯，包括：
在第一温度下，对所述第一胶层进行第一热处理，以熔化所述第一胶层，并分离所述第一基板和所述待测管芯。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一温度包括：120℃至150℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在分离所述第一基板和所述待测管芯后，对固定连接的所述待测管芯和所述第二基板进行第三热处理。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述第三热处理的处理温度包括：120℃至150℃；
所述第三热处理的处理时长包括：50分钟至90分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述待测管芯的背面通过第二胶层与第二基板固定连接，包括：
在所述第二基板上涂覆第二材料层；
将所述待测管芯的背面粘接在所述第二材料层上；其中，所述待测管芯的背面与所述第二基板，分别位于所述第二材料层相对设置的两个表面；
对所述第二材料层进行第二热处理，以固化形成所述第二胶层，并将所述待测管芯的背面通过所述第二胶层与所述第二基板固定连接。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二热处理的第二温度包括：60℃至80℃。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一胶层的组成材料包括：热熔胶；
所述第二胶层的组成材料包括：氧化硅和环氧树脂。
10.一种失效分析样品，其特征在于，所述样品采用如权利要求1至9中任一项所述方法制作而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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