[发明专利]失效分析样品的制作方法及失效分析样品

说明书

本公开实施例公开了一种失效分析样品的制作方法。所述方法包括：提供待测管芯；其中，所述待测管芯包括相对设置的正面和背面，所述待测管芯的正面通过第一胶层与第一基板之间粘接；将所述待测管芯的背面通过第二胶层与第二基板固定连接；其中，所述第二胶层的固化温度小于所述第一胶层的熔化温度，所述第二胶层的熔化温度大于所述第一胶层的熔化温度；在所述待测管芯的背面粘接有所述第二基板后，分离所述第一基板和所述待测管芯。

技术领域

本公开实施例涉及半导体器件测试领域，尤其涉及一种失效分析样品的制作方法及失效分析样品。

背景技术

在半导体器件的研发和生产过程中，失效分析是改善工艺条件、提高产品良率不可或缺的重要手段。通过失效分析，可以帮助研发和生产人员找到设计上的缺陷、工艺参数不匹配或者生产中的操作不当等问题。为后续的产品设计提供必要的反馈信息，为生产工艺的调整提供必要的补充。

在失效分析流程中，最基本的步骤就是失效分析样品的制作。失效分析样品制作的好坏，直接影响到后续测试中能否准确定位半导体器件的失效位置。然而，随着半导体器件的尺寸逐渐减小，失效分析样品的制作难度增加。因此，如何更好的制作失效分析样品，以精确的定位到失效位置，成为亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种失效分析样品的制作方法及失效分析样品。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种失效分析样品的制作方法，所述方法包括：

提供待测管芯；其中，所述待测管芯包括相对设置的正面和背面，所述待测管芯的正面通过第一胶层与第一基板之间粘接；

将所述待测管芯的背面通过第二胶层与第二基板固定连接；其中，所述第二胶层的固化温度小于所述第一胶层的熔化温度，所述第二胶层的熔化温度大于所述第一胶层的熔化温度；

在所述待测管芯的背面粘接有所述第二基板后，分离所述第一基板和所述待测管芯。

在一些实施例中，所述提供待测管芯，包括：

提供封装芯片；其中，所述封装芯片包括多个堆叠设置的管芯；

对所述封装芯片执行第一检测，并形成第一检测结果；

在所述第一检测结果指示所述封装芯片包括失效区域时，确定所述封装芯片包括所述待测管芯；其中，所述失效区域位于所述待测管芯中。

在一些实施例中，所述在所述待测管芯的背面粘接有所述第二基板后，分离所述第一基板和所述待测管芯，包括：

在第一温度下，对所述第一胶层进行第一热处理，以熔化所述第一胶层，并分离所述第一基板和所述待测管芯。

在一些实施例中，所述方法还包括：

在分离所述第一基板和所述待测管芯后，对固定连接的所述待测管芯和所述第二基板进行第三热处理。

在一些实施例中，所述第三热处理的处理温度包括：120℃至150℃；所述第三热处理的处理时长包括：50分钟至90分钟。

在一些实施例中，所述将所述待测管芯的背面通过第二胶层与第二基板固定连接，包括：

在所述第二基板上涂覆第二材料层；

将所述待测管芯的背面粘接在所述第二材料层上；其中，所述待测管芯的背面与所述第二基板，分别位于所述第二材料层相对设置的两个表面；

对所述第二材料层进行第二热处理，以固化所述第二胶层，并将所述待测管芯的背面通过所述第二胶层与所述第二基板固定连接。

在一些实施例中，所述第二热处理的第二温度包括：60℃至80℃。