[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成膜层结构，所述膜层结构包括介质层；

在所述膜层结构上形成图形转移层，所述图形转移层上定义多个孔洞；

对所述图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理；

通过所述孔洞蚀刻所述膜层结构，以在所述膜层结构中形成电容孔洞；

在所述膜层结构上形成图形转移层，所述图形转移层上定义多个孔洞包括：

在所述膜层结构上依次堆叠形成第一图形转移层和第二图形转移层，所述第二图形转移层上具有孔型图案；

将所述孔型图案转移至所述第一图形转移层上，以形成孔洞；

对所述图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理包括：

去除所述第二图形转移层，并对所述第一图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理；

去除所述第二图形转移层，并对所述第一图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理包括：

通过化学机械抛光的方法去除所述第二图形转移层，并且对所述第一图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理。

2.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述第一图形转移层为多晶硅层，所述第二图形转移层为氧化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述膜层结构上依次堆叠形成第一图形转移层和第二图形转移层，所述第二图形转移层上具有孔型图案：

蚀刻所述第二图形转移层，以形成预设孔，所述预设孔延伸至所述第一图形转移层内。

4.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，将所述孔型图案转移至所述第一图形转移层上，以形成孔洞还包括：

所述孔洞延伸至所述膜层结构内。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述基底上形成膜层结构，所述膜层结构包括介质层包括：

在所述基底上依次堆叠形成介质层和顶部膜层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述介质层包括：在所述基底上依次堆叠形成的第一介质层、中间膜层以及第二介质层。

7.根据权利要求6所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述中间膜层和所述顶部膜层的材质相同。

8.根据权利要求7所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述中间膜层和所述顶部膜层均为氮化钛层。

9.根据权利要求6所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层的材质相同。

10.根据权利要求9所述的半导体结构制作方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层均为氧化物层。

11.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构制作方法，其特征在于，通过所述孔洞蚀刻所述膜层结构，以在所述膜层结构中形成电容孔洞包括：

采用干法蚀刻的方式通过所述孔洞蚀刻所述膜层结构，以在所述膜层结构中形成电容孔洞。

12.一种半导体结构，其特征在于，通过权利要求1-11任一项所述的半导体结构制作方法制得。