[发明专利]半导体结构制作方法及半导体结构

说明书

本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决在蚀刻介质层的过程中，粗糙的顶面容易造成离子散射，形成的电容孔洞尺寸精度差，影响电容结构性能的问题。该半导体结构制作方法，在基底上形成膜层结构，在膜层结构上形成图形转移层，图形转移层上定义多个孔洞，并对图形转移层进行平坦化处理；通过孔洞蚀刻膜层结构，以在膜层结构中形成电容孔洞；在形成电容孔洞之前，对图形转移层的顶面进行了平坦化处理，在进行蚀刻的过程中，平坦的图形转移层顶面可以避免发生离子散射，进而避免形成的电容孔洞侧壁出现鼓包、或者电容孔洞倾斜，提高了电容孔洞的尺寸精度，提高了电容结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。

背景技术

随着存储设备技术的逐渐发展，动态随机存储器(Dynamic Random AccessMemory，简称DRAM)以其较高的密度以及较快的读写速度逐渐应用在各种电子设备中。动态随机存储器包括电容结构和晶体管结构，电容结构与晶体管结构连接，通过晶体管结构可以读取电容结构内存储的数据。

相关技术中，电容结构包括基底以及设置在基底上的介质层，介质层上设置有电容孔洞，电容孔洞内设置有电容管。制作时，先在基底上形成介质层，并在介质层上形成图形转移层，图形转移层上具有孔洞，通过干法蚀刻的方式沿孔洞蚀刻介质层，以在介质层中形成电容孔洞。

然而，在形成图形转移层时，图形转移层背离基底的顶面较为粗糙，在蚀刻介质层的过程中，粗糙的顶面容易造成离子散射，使得形成的电容孔洞尺寸精度差，影响电容结构的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种半导体结构制作方法及半导体结构，以解决在蚀刻介质层的过程中，粗糙的顶面容易造成离子散射，使得形成的电容孔洞尺寸精度差，影响电容结构性能的技术问题。

本发明实施例提供了一种半导体结构制作方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成膜层结构，所述膜层结构包括介质层；

在所述膜层结构上形成图形转移层，所述图形转移层上定义多个孔洞；

对所述图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理；

通过所述孔洞蚀刻所述膜层结构，以在所述膜层结构中形成电容孔洞。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，在所述膜层结构上形成图形转移层，所述图形转移层上定义多个孔洞包括：

在所述膜层结构上依次堆叠形成第一图形转移层和第二图形转移层，所述第二掩膜层上具有孔型图案；

将所述孔型图案转移至所述第一图形转移层上，以形成孔洞。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，对所述图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理包括：

去除所述第二图形转移层，并对所述第一图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，去除所述第二图形转移层，并对所述第一图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理包括：

通过化学机械抛光的方法去除所述第二图形转移层，并且对所述第一图形转移层背离所述基底的顶面进行平坦化处理。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，所述第一图形转移层为多晶硅层，所述第二图形转移层为氧化物层。

在可以包括上述实施例的一些实施例中，在所述膜层结构上依次堆叠形成第一图形转移层和第二图形转移层，所述第二掩膜层上具有孔型图案：

蚀刻所述第二图形转移层，以形成预设孔，所述预设孔延伸至所述第一图形转移层内。