[发明专利]Micro LED芯片的转移方法

权利要求书

1.一种Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，包括如下步骤：

将UV胶层和基材层层叠在一起，形成转移载体；

将所述转移载体与待转移的Micro LED芯片贴合，使得所述Micro LED芯片粘附在所述UV胶层上；

将粘附有所述Micro LED芯片的所述转移载体移动至与目标基板贴合，所述Micro LED芯片位于所述转移载体和所述目标基板之间；

在所述转移载体的上方设置液晶光开关层，在所述液晶光开关层的上方设置UV光源，其中，所述液晶光开关层包括多个液晶光开关；

位于待转移区域的所述液晶光开关层内的所述液晶光开关导通后透光，形成透光区域；以及

所述UV光源发出的UV光通过所述透光区域照射到所述UV胶层上，使得位于所述待转移区域的所述UV胶层固化，从而使得位于所述待转移区域的所述Micro LED芯片自所述UV胶层脱落到所述转移载体上，完成转移。

2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，所述UV胶层的材料为丙烯酸树脂与UV固化剂的混合物。

3.根据权利要求2所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，所述丙烯酸树脂和所述UV固化剂的质量比为60～80：1～5。

4.根据权利要求2所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，所述UV胶层的膜粘性大于3000g。

5.根据权利要求1所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，多个所述液晶光开关阵列排布组成所述液晶光开关层。

6.根据权利要求1所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，所述基材层的材料为PET或PO。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，所述位于所述液晶光开关层上方的UV光源发出的UV光通过所述透光区域照射到所述UV胶层上的操作中，所述UV光的照射量为200mJ/cm²～600mJ/cm²，所述UV光的照射时长为10s～60s。

8.根据权利要求7所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，所述UV光的照射量为400mJ/cm²，所述UV光的照射时长为30s。

9.根据权利要求1所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，所述UV胶层上还设有离型层；

所述Micro LED芯片的转移方法还包括在所述将UV胶层、基材层和液晶光开关层依次层叠在一起，形成转移载体的操作之后，在所述将所述转移载体与待转移的Micro LED芯片贴合的操作之前，进行如下操作：将膜的离型层撕去。

10.根据权利要求1所述的Micro LED芯片的转移方法，其特征在于，所述Micro LED芯片的转移方法还包括在所述将所述转移载体与待转移的Micro LED芯片贴合，使得所述Micro LED芯片粘附在所述UV胶层上的操作之后，在所述将粘附有所述Micro LED芯片的所述转移载体移动至与目标基板贴合的操作之前，进行如下操作：

通过检测设备，检测所述待转移的Micro LED芯片是否有未被所述UV胶层胶膜粘附。